[发明专利]一种芯片失效定位方法及夹具

说明书

本发明公开了一种芯片失效定位方法及夹具，其包括转移步骤、第一次定位步骤、第一次标记步骤、第二次定位步骤与第二次标记步骤，该芯片失效定位方法能够对表面规则没有特征图形的芯片的失效点进行定位。

技术领域

本发明涉及半导体芯片深层失效定位技术领域，尤其涉及一种芯片失效定位方法及夹具。

背景技术

对于失效的半导体器件的芯片，一般需要对其失效点进行切割，以便将芯片内部的结构露出来，从而方便观测和分析失效的原因。而在切割之前，首先需要确定失效点的位置。

现有技术提供的失效点定位技术一般包括以下步骤：将芯片放置在EMMI(Emission Microscope，微光显微镜)/OBIRCH(Optical Beam Induced ResistanceChange,激光束电阻异常侦测)设备上通电，从而可以显现出失效点的图像，这些是现有成熟技术，在此不予赘述。对于一般的芯片，由于其表面具有复杂的图案，我们可以根据失效点与芯片表面的图案位置关系，通过芯片表面的图案来确定失效点的确切位置，从而为切割提供失效点定位。

但是对表面没有复杂图案的MOS类半导体功率器件来说，其表面除了一条条完全一样的strip(条状或带状图案)外，并没有复杂的图案供我们定位。因此，虽然我们能获取到有失效点的图像，但是在将产品转移至切割设备进行切割时，没有标志性的参考图案作为标记，还是不能准确在芯片表面上定位失效点的确切位置。因此现有成熟的一般芯片失效点定位技术不能用于表面没有复杂图案的MOS类半导体功率器件的失效点定位。

针对半导体功率器件的芯片失效点定位，现有技术也有一些方案提供，但都不是很理想。

如中芯国际提供的CN105575867B-热点定位方法技术方案，使用背面失效定位标记方法，主要使用载物玻璃片，在载物玻璃片上进行标记，然后将载物玻璃片进行翻转到正面，然后找到正面对应位置，进行切割。此方法运动过程增加了位置偏离的可能性，其准确度不能达到很高。

另外现有的激光标记方法，是通过大功率的激光在芯片表面进行微米级深度的标记，该方法直接破坏失效区域周围的芯片结构层，导致后续无法对芯片进行其他参数的通电失效分析。

因此，现有的技术无法解决表面没有复杂图案的MOS类半导体功率器件精确而无损的失效分析。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明的目的之一在于提供一种芯片失效定位方法，能够对表面规则没有特征图形的芯片的失效点进行定位。

本发明的目的之二在于提供一种夹具。

本发明的目的之一采用如下技术方案实现：

一种芯片失效定位方法，包括以下步骤：

转移步骤：将芯片本体移送至成像打标装置，并将芯片本体正反面中的一面朝向成像打标装置中微光显微镜的镜头；

第一次定位步骤：在微光显微镜的低倍镜头下对芯片本体进行加电处理，并在芯片本体朝向微光显微镜镜头的一面找到失效点；

第一次标记步骤：利用成像打标装置中打标组件在靠近所述失效点的芯片本体表面位置打下第一标记；

第二次定位步骤：在微光显微镜的高倍镜头下对芯片本体进行加电处理，找到所述第一标记，并以所述第一标记作为定位基准，找到失效点；

第二次标记步骤：利用成像打标装置中打标组件在第一标记靠近所述失效点的芯片本体表面位置打下第二标记。

进一步地，在转移步骤之前，还包括：

去除步骤：去除芯片表面模封体及表层金属，暴露出芯片本体。

进一步地，在转移步骤之前，还包括：