[发明专利]体声波谐振器及其制造方法、滤波器及电子设备

权利要求书

1.一种体声波谐振器，包括：

基底；

声学镜；

底电极；

压电层；和

顶电极，

其中：

底电极和/或顶电极的表面粗糙度Rq0.5nm；和/或

在平行于谐振器的厚度方向的一个截面中，底电极和/或顶电极的与压电层接触的表面上的最高点与最低点之间在所述厚度方向上的距离小于5nm。

2.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

底电极和/或顶电极的X射线衍射半高宽2.4°。

3.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述谐振器设置有温补层；且

所述底电极的表面粗糙度Rq0.5nm。

4.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述底电极包括上底电极层和下底电极层，所述谐振器包括设置在上底电极层与下底电极层之间的温补层；且

所述上底电极层的表面粗糙度Rq0.5nm。

5.根据权利要求1所述的谐振器，其中：

所述顶电极包括上顶电极层和下顶电极层，所述谐振器包括设置在上顶电极层与下顶电极层之间的温补层；

所述下顶电极层的表面粗糙度Rq0.5nm。

6.一种体声波谐振器的制作方法，所述谐振器包括基底，声学镜，底电极，压电层和顶电极，所述方法包括步骤：

以沉积功率范围不小于1KW的条件制备顶电极和/或底电极的全部或部分电极膜层。

7.根据权利要求6所述的方法，其中：

以沉积温度不小于100℃的条件制备顶电极和/或底电极的全部或部分电极膜层。

8.根据权利要求7所述的方法，其中：

以沉积速率不小于氩气流量不小于50sccm的条件制备顶电极和/或底电极的全部或部分电极膜层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中：

以沉积功率小于10KW的条件制备顶电极和/或底电极的全部或部分电极膜层。

10.根据权利要求9所述的方法，其中：

以沉积温度小于300℃的条件制备顶电极和/或底电极的全部或部分电极膜层。

11.根据权利要求10所述的方法，其中：

以沉积功率范围小于10KW、沉积温度小于300℃、沉积速率小于氩气流量范围小于120sccm的条件制备顶电极和/或底电极的全部或部分电极膜层。

12.根据权利要求11所述的方法，其中：

以沉积功率范围不小于1KW且小于10KW、沉积温度不小于100℃且小于300℃、沉积速率不小于且小于氩气流量范围不小于50sccm且小于120sccm的条件制备所述谐振器的顶电极的全部和/或底电极的全部。

13.根据权利要求11所述的方法，其中：

所述底电极包括上底电极层和下底电极层，所述谐振器包括设置在上底电极层与下底电极层之间的温补层，所述上底电极层为与所述压电层接触的夹层电极，或者所述顶电极包括上顶电极层和下顶电极层，所述谐振器包括设置在上顶电极层与下顶电极层之间的温补层，所述下顶电极层为与所述压电层接触的夹层电极；

所述方法中，以不小于1KW的沉积功率、不小于100℃的沉积温度、不小于的沉积速率、不小于50sccm的氩气流量的条件制备所述夹层电极。

14.根据权利要求11所述的方法，其中：

以不小于1KW且小于10KW的沉积功率、沉积温度不小于100℃且小于300℃、沉积速率不小于且小于氩气流量不小于50sccm且小于120sccm的条件制备所述夹层电极。