[发明专利]一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺有效
申请号: | 202011120980.0 | 申请日: | 2020-10-19 |
公开(公告)号: | CN112234017B | 公开(公告)日: | 2023-07-14 |
发明(设计)人: | 严立巍;符德荣;文锺 | 申请(专利权)人: | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人: | 王依 |
地址: | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 玻璃 双面 加工 工艺 | ||
本发明公开了一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺,属于晶圆加工领域。一种晶圆双面加工工艺,使用飞秒激光扫描玻璃载板的一端面,解构所述玻璃载板的一端面形成多条沟槽,每个所述沟槽围成封闭区域,多个所述封闭区域同心布置;将所述玻璃载板的另一端面与晶圆的一端面键合,并对晶圆的另一端面进行减薄;蚀刻去除所述封闭区域部分的玻璃载板,通过镭射将所述封闭区域的玻璃载板与所述晶圆解键合;使用氧电浆清洗所述封闭区域内的键合剂;进行晶圆的双面工艺;将所述晶圆的一端面固定在切割模框上,切割所述晶圆。
技术领域
本公开涉及晶圆加工领域,具体涉及一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺。
背景技术
在现有的晶圆双面加工制程中,主要有两种工艺路线。一种是采用边缘呈环状的太古晶圆键合在玻璃载板上,再进行晶圆减薄工艺。另一种工艺路线,采用传统玻璃载板加工。
上述两种方式都存在一定的不足,其中,在太古晶圆工艺中,晶圆中央部份会弯曲,不能在高旋转或垂直式的装置中操作,水平式必须和缓的接触晶圆的底面,否则破片风险仍高.加工设备必须特制,一般制作正常厚片晶圆的设备无法运作。另外太古晶圆工艺中,晶圆表面存在较大的段差,制作光阻或其他涂布工艺时在边缘会产生反溅,严重影响边缘区域的均匀度,对良率影响很大。在传统的玻璃载板工艺中,难以处理超薄晶圆。
发明内容
针对现有技术的不足,本公开提出了一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺。
本公开的目的可以通过以下技术方案实现:
一种晶圆双面加工工艺,包括以下步骤:
使用飞秒激光扫描玻璃载板的一端面,解构所述玻璃载板的一端面形成多条沟槽,每个所述沟槽首尾相连围成封闭区域;
将所述玻璃载板的另一端面与晶圆的一端面键合,并对晶圆的另一端面进行减薄;
蚀刻去除所述封闭区域内的玻璃载板,通过镭射使所述封闭区域的玻璃载板与所述晶圆解键合;
使用氧电浆清洗所述封闭区域内的键合剂。
可选地,清洗掉所述键合剂后进行晶圆的双面工艺;
将所述晶圆的一端面固定在切割模框上,切割所述晶圆。
可选地,所述晶圆固定在切割模框上后,使用氧电浆或镭射。
可选地,所述封闭区域呈扇形,使所述玻璃载板的一端面形成十字形的支撑部。
一种玻璃载板,其一端面上通过飞秒激光扫描形成多条沟槽,所述多条沟槽首尾相连围成封闭区域,所述玻璃载板的另一端面与所述晶圆键合。
可选地,蚀刻所述封闭区域内的玻璃载板,使所述玻璃载板的一端面形成支撑部。
可选地,所述封闭区域呈扇形。
可选地,所述封闭区域布置有四个,形成十字形的支撑部。
附图说明
下面结合附图对本公开作进一步的说明。
图1为本公开的形成沟槽后的玻璃载板结构示意图;
图2为本公开的经过蚀刻后的玻璃载板结构示意图;
图3为本公开的与晶圆键合后的玻璃载板结构示意图;
图4为本公开的去除键合剂后的玻璃载板结构示意图;
图5为本公开的另一示例中的玻璃载板的俯视图。
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造