[发明专利]一种玻璃载板与晶圆双面加工工艺有效
| 申请号： | 202011120980.0 | 申请日： | 2020-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN112234017B | 公开（公告）日： | 2023-07-14 |
| 发明（设计）人： | 严立巍;符德荣;文锺 | 申请（专利权）人： | 绍兴同芯成集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京同辉知识产权代理事务所(普通合伙) 11357 | 代理人： | 王依 |
| 地址： | 312000 浙江省绍兴市越城区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 双面 加工 工艺 | ||
1.一种晶圆双面加工工艺，其特征在于，包括以下步骤：
使用飞秒激光扫描玻璃载板的一端面，解构所述玻璃载板的一端面形成多条沟槽，每个所述沟槽首尾相连围成封闭区域，解构去除材料后，所述玻璃载板的外缘与中部均留有未经减薄的支撑部分；
将所述玻璃载板的另一端面与晶圆的一端面键合，并对晶圆的另一端面进行减薄；
蚀刻去除所述封闭区域内的玻璃载板，通过镭射使所述封闭区域的玻璃载板与所述晶圆解键合；
使用氧电浆清洗所述封闭区域内的键合剂。
2.根据权利要求1所述的晶圆双面加工工艺，其特征在于，清洗掉所述键合剂后进行晶圆的双面工艺；
将所述晶圆的一端面固定在切割模框上，切割所述晶圆。
3.根据权利要求1所述的晶圆双面加工工艺，其特征在于，所述晶圆固定在切割模框上后，使用氧电浆或镭射。
4.根据权利要求1所述的晶圆双面加工工艺，其特征在于，所述封闭区域呈扇形，使所述玻璃载板的一端面形成十字形的支撑部。
5.一种玻璃载板，其特征在于，其一端面上通过飞秒激光扫描形成多条沟槽，所述多条沟槽首尾相连围成封闭区域，所述玻璃载板的另一端面与晶圆键合；
所述封闭区域布置有四个，形成十字形的支撑部。
6.根据权利要求5所述的玻璃载板，其特征在于，蚀刻所述封闭区域内的玻璃载板，使所述玻璃载板的一端面形成支撑部。
7.根据权利要求5所述的玻璃载板，其特征在于，所述封闭区域呈扇形。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
