[发明专利]微发光装置及其显示器

权利要求书

1.微发光装置,从下至上包括：具有受激发后产生第一波长的光的发光半导体序列的微发光二极管，受第一波长的光激发产生第二波长的光的量子阱转换层，微发光装置最终只出射第二波长的光，第一波长短于第二波长。

2.根据权利要求1所述的微发光装置，其特征在于，具有受激发后产生第一波长的光的发光半导体序列的微发光二极管与受第一波长的光激发产生第二波长的光的量子阱转换层之间设置有透明的粘合层。

3.根据权利要求2所述的微发光装置，其特征在于，粘合层的厚度为大于等于0.01μm至小于等于10μm，或者大于10μm至小于等于100μm。

4.根据权利要求2所述的微发光装置，其特征在于，粘合层的材料包括SiO₂、SiN、ITO、Al₂O₃、亚克力、树脂或者硅胶。

5.根据权利要求1所述的微发光装置，其特征在于，在产生第二波长的光的量子阱转换层上方设置有抗反射增透膜层，抗反射增透膜层具有波长选择透性，透过第二波长的光而反射第一波长的光。

6.根据权利要求5所述的微发光装置，其特征在于，抗反射增透膜层为单层结构透明介质，或者包括复数层折射率不同的透明介质。

7.根据权利要求1所述的微发光装置，其特征在于，微发光二极管的上表面是出光面，微发光二极管具有粗化的上表面，粗化方式包括规则粗化或者不规则粗化。

8.根据权利要求1所述的微发光装置，其特征在于，产生第二波长的光的量子阱转换层具有粗化的上表面，粗化方式包括规则粗化或者不规则粗化。

9.根据权利要求1所述的微发光装置，其特征在于，第一波长的光的发光半导体序列包括属于GaN基的量子阱，且产生第二波长的光的量子阱转换层为AlGaInP基。

10.根据权利要求1所述的微发光装置，其特征在于，产生第二波长的光的量子阱转换层的阱层为Ga_0.51In_0.49P。

11.根据权利要求10所述的微发光装置，其特征在于，产生第二波长的光的量子阱转换层的阱层的厚度大于3.8nm至小于等于4.0nm，或者大于4.0nm至小于等于4.2nm。

12.根据权利要求10所述的微发光装置，其特征在于，产生第二波长的光的量子阱转换层的垒层为AlInP。

13.根据权利要求12所述的微发光装置，其特征在于，产生第二波长的光的量子阱转换层的垒层的厚度为大于1.5nm至小于等于2nm，或者大于2nm至小于等于3nm。

14.根据权利要求12所述的微发光装置，其特征在于，量子阱转换层对数不少于20对。

15.根据权利要求1所述的微发光装置，其特征在于，第一波长为大于等于380nm至小于500nm或者大于等于500nm至小于等于550nm，第二波长为大于570nm至小于等于780nm。

16.根据权利要求15所述的微发光装置，其特征在于，当第一光波长为大于等于500nm至小于等于550nm时，量子阱转换层对数为大于等于65对至小于等于70对，或者大于70对至小于等于75对。

17.根据权利要求15所述的微发光装置，其特征在于，当第一光波长为大于等于380nm至小于500nm时，量子阱转换层对数为大于等于45对至小于等于50对，或者大于50对至小于等于55对。