[发明专利]氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法

说明书

本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件的制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

技术领域

本发明涉及氮化硅膜蚀刻溶液及使用其的半导体器件的制备方法，更详细地，涉及如下的氮化硅膜蚀刻溶液及使用其来执行的半导体器件制备方法，即，硅化合物不易分解而防止颗粒的产生，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

背景技术

目前，蚀刻氮化硅膜和氧化硅膜的方法有多种，主要使用干式蚀刻法和湿式蚀刻法。

通常，干式蚀刻法为使用气体的蚀刻方法，具有各向同性优于湿式蚀刻法的优点，但其生产率远低于湿式蚀刻法，并且，为一种昂贵的方式，因此趋于广泛使用湿式蚀刻法。

通常，周知的湿式蚀刻法为将磷酸用作蚀刻溶液的方法。此时，在为了蚀刻氮化硅膜而仅使用纯磷酸的情况下，随着器件的小型化，不仅会蚀刻氮化硅膜，还会蚀刻氧化硅膜，可能发生各种不良以及图案异常等问题，因此需要通过在氧化硅膜形成保护膜来进一步降低氧化硅膜的蚀刻速率。

发明内容

发明所要解决的问题

本发明的目的在于，提供如下的氮化硅膜蚀刻溶液，即，在蚀刻条件下，提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的选择比。

并且，本发明的目的在于，提供使用如上所述的氮化硅膜蚀刻溶液来执行的半导体器件的制备方法。

用于解决问题的方案

为了解决上述问题，根据本发明的一实施方式，氮化硅膜蚀刻溶液包含磷酸水溶液以及由下述化学式1及化学式2表示的化合物中的至少一种。

化学式1：

化学式2：

在上述化学式1及化学式2中，

X及Y分别独立地选自氢、卤素、羟基、胺基以及烷氧基，

A₁及A₂分别独立地表示C₁-C₄的烷基，

n及k分别独立地为1至3，

当上述n为2或3时，上述A₁相同或不同，

当上述k为2或3时，上述A₂相同或不同。

并且，根据本发明的另一实施方式，提供通过使用如上所述的氮化硅膜蚀刻溶液来执行的半导体器件的制备方法。

发明效果

本发明的氮化硅膜蚀刻溶液包含由示出稳定的硅化合物结构的化学式1及化学式2表示的化合物中的至少一种，可以防止硅类颗粒的生长。

并且，本发明的氮化硅膜蚀刻溶液包含由化学式1及化学式2表示的化合物中的至少一种，可以提高相对于氧化硅膜的氮化硅膜的蚀刻选择比。

附图说明

图1为简要示出利用本发明一实施例的蚀刻溶液的氮化硅膜去除工序的剖视图。

附图标记说明：

10：硅基板；

11：氮化硅膜；

12：氧化硅膜；

20：层叠结构体；

30：掩膜图案层；

50：沟槽。

具体实施方式