[发明专利]一种高线性GaN基毫米波器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202011091531.8 | 申请日： | 2020-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN112310212A | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 王洪;刘晓艺;陈竟雄 | 申请（专利权）人： | 中山市华南理工大学现代产业技术研究院;华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 江裕强 |
| 地址： | 528400 广东省中山*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 线性 gan 毫米波 器件 及其 制备 方法 | ||
1.一种高线性GaN基毫米波器件，其特征在于，包括AlGaN/GaN异质结外延层，所述AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构，凸台上方突起部分为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，不同掺杂浓度的p型GaN层位于有源区上表面的源电极和漏电极之间，其中，所述不同掺杂浓度的p型GaN层由不同掺杂浓度，但厚度相同的第一p型GaN和第二p型GaN沿栅宽前后排列形成，并且第一p型GaN的后表面和第二p型GaN的前表面相重合，左右边缘对齐；栅电极位于不同掺杂浓度的p型GaN层的上方。
2.根据权利要求1所述的一种高线性GaN基毫米波器件，其特征在于，所述AlGaN/GaN异质结外延层的直径为2-10inch，总厚度为200μm-1mm。
3.根据权利要求1所述的一种高线性GaN基毫米波器件，其特征在于，第一p型GaN和第二p型GaN的长度均在10nm与100nm之间，宽度大于5μm，厚度在5nm与100nm之间，掺杂浓度均大于1×103/cm-3。
4.根据权利要求1所述的一种高线性GaN基毫米波器件，其特征在于，源电极和漏电极为Ti/Al/Ni/Au金属层，源电极和漏电极均为长方体，长度均大于10nm，宽度与整体的p型GaN层相同，高度均大于10nm，源电极和漏电极之间的间距大于第一p型GaN和第二p型GaN的长度；源电极的左侧与有源区的左边缘重合，漏电极的右侧与有源区的右边缘重合，源电极和漏电极的前后边缘与有源区的前后边缘重合。
5.根据权利要求1所述的一种高线性GaN基毫米波器件，其特征在于，有源区的后边缘与第二p型GaN的后边缘重合，有源区的前边缘距第二p型GaN的长度大于5μm，有源区的左边缘距第二p型GaN的左边缘长度大于100nm，有源区的右边缘距第二p型GaN的右边缘长度大于100nm。
6.根据权利要求1所述的一种高线性GaN基毫米波器件，其特征在于，栅电极的长度与第二p型GaN的长度相同，宽度为第一p型GaN与第二p型GaN宽度之和，高度在50nm与1000nm之间。
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