[发明专利]存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器

说明书

本发明提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器。所述方法包括：从多个实体单元中选择第一实体单元，其已存储有效数据；从主机系统接收至少一第一写入指令，其指示存储第一数据；以及从所述第一实体单元收集至少一部分的所述有效数据并根据所述第一写入指令执行写入操作，其中所述写入操作包括：将所述第一数据存储至所述多个实体单元中的至少一第二实体单元中一部分的存储空间；以及将所收集的所述有效数据作为填充数据存储至所述至少一第二实体单元中另一部分的存储空间，以填满所述至少一第二实体单元。借此，可减少无意义的填充数据的使用量和/或降低写入放大。

技术领域

本发明涉及一种存储器控制技术，且特别是涉及一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器。

背景技术

非易失性存储器模块(例如快闪存储器模块)具有数据非易失性保存、低耗电及数据存取快速等优点。某些类型的存储器存储装置可额外于非易失性存储器模块中设置快取区(亦称为快取缓冲)。在存储数据时，若快取区尚未被写满，则数据可通过单阶存储单元(Single Level Cell,SLC)模式来快速存储至快取区，然后再于背景中将数据从快取区搬移至数据区进行存储。然而，若快取区已被写满，则数据将通过直接三阶存储单元(Direct-Triple Level Cell,Direct-TLC)或类似的编程模式来直接将数据存储至数据区。

一般来说，若主机系统指示存储小数据(例如数据量为4KB(bytes)的数据)，则存储器存储装置需要将此小数据连同无意义的填充(dummy)数据来写入至预定的存储位置。以SLC模式为例，4KB的小数据可能要搭配12KB的填充数据来写入至快取区中容量为16KB的一个实体页。但是，若使用Direct-TLC来写入数据，则4KB的小数据可能要搭配44KB的填充数据来填满数据区中容量各别为16KB的三个实体页。这样长时间使用下来，除了快取区与数据区的使用空间很容易被无意义的填充数据用尽外，存储器存储装置的写入放大也上升的很快。

发明内容

本发明的实施例提供一种存储器控制方法、存储器存储装置及存储器控制器，可减少无意义的填充数据的使用量和/或降低写入放大。

本发明的实施例提供一种存储器控制方法，其用于控制存储器模块，其中所述存储器模块包括多个实体单元，且所述存储器控制方法包括：从所述多个实体单元中选择第一实体单元，其中所述第一实体单元已存储有效数据；从主机系统接收至少一第一写入指令，其中所述至少一第一写入指令指示存储第一数据；以及从所述第一实体单元收集至少一部分的所述有效数据并根据所述第一写入指令执行写入操作，其中所述写入操作包括：将所述第一数据存储至所述多个实体单元中的至少一第二实体单元中一部分的存储空间；以及将所收集的所述有效数据作为填充数据存储至所述至少一第二实体单元中另一部分的存储空间，以填满所述至少一第二实体单元。

本发明的实施例另提供一种存储器存储装置，其包括连接接口单元、存储器模块及存储器控制器。所述连接接口单元用以连接主机系统。所述存储器模块包括多个实体单元。所述存储器控制器连接所述连接接口单元与所述存储器模块。其中所述存储器控制器用以从所述多个实体单元中选择第一实体单元，其中所述第一实体单元已存储有效数据。所述存储器控制器还用以从所述主机系统接收至少一第一写入指令，其中所述至少一第一写入指令指示存储第一数据。所述存储器控制器还用以从所述第一实体单元收集至少一部分的所述有效数据并根据所述第一写入指令执行写入操作。其中所述写入操作包括：将所述第一数据存储至所述多个实体单元中的至少一第二实体单元中一部分的存储空间；以及将所收集的所述有效数据作为填充数据存储至所述至少一第二实体单元中另一部分的存储空间，以填满所述至少一第二实体单元。