[发明专利]存储装置以及数据操作方法

说明书

本发明提供了一种存储装置，包括第一存储器以及第二存储器，其中，第一存储器设置于第二存储器内，且第一存储器具有比第二存储器更快的写入速度；第二存储器具有特殊存储区，且第二存储器为非易失性存储器；第二存储器还具有控制器，控制器用以在编程程序运行时，将接收的数据快取写入第一存储器，在检测到存储装置发生电力异常事件时，将数据写入特殊存储区，从而当存储装置发生电力异常事件时，该存储装置内编程程序运行时保存的数据会被保存至非易失性的存储区，当存储装置完成上电复位后，该存储装置内的编程程序可以继续进行。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种存储装置以及数据操作方法。

背景技术

在企业固态存储设备中，系统使用超级电容或备用电池，以防止突然断电事件造成数据丢失。随着系统进行数据缓存时，所需缓存的数据量越来越多，防止数据丢失的成本也越来越高。

然而，现有技术下的存储装置，当有电力异常事件发生时，该存储装置内的编程程序运行时所保存的数据很容易丢失，之后，当存储装置上电复位后，往往会因为数据的丢失而无法继续进行编程程序。

发明内容

本发明提供了一种存储装置以及数据操作方法，有效地防止了当存储装置发生电力异常事件时，编程程序运行时保存的数据容易丢失的问题。

为了解决上述问题，本发明提供了一种存储装置，所述存储装置包括第一存储器以及第二存储器，其中：

所述第一存储器设置于所述第二存储器内，用以保存编程程序运行时的数据，且所述第一存储器具有比所述第二存储器更快的写入速度；

所述第二存储器具有特殊存储区，所述特殊存储区用以在电力异常事件发生时，保存所述编程程序运行时写入所述第一存储器的数据，且所述第二存储器为非易失性存储器；

所述第二存储器还具有控制器，所述控制器用以在所述编程程序运行时，将接收的数据快取写入所述第一存储器；在检测到所述存储装置发生所述电力异常事件时，将所述数据写入所述特殊存储区。

进一步优选的，所述控制器还用于在检测到所述存储装置进行上电复位时，将所述特殊存储区保存的所述数据写回所述第一存储器。

进一步优选的，所述第一存储器为静态随机存储器，所述第二存储器为NAND闪存。

进一步优选的，所述数据包括编程程序的编程地址。

进一步优选的，所述控制器还用于在检测到所述存储装置发生所述电力异常事件时，根据特殊控制指令暂停所述编程程序，并保存所述编程地址。

进一步优选的，所述第二存储器还具有一般存储区，在所述控制器将接收的数据快取写入所述第一存储器后，所述控制器还用以将所述数据写入所述一般存储区。

进一步优选的，所述一般存储区用以进行多位存储，所述特殊存储区为单位元存储单元组成的存储区。

进一步优选的，在将所述特殊存储区保存的所述数据写回所述第一存储器时，所述控制器还用于查找所述特殊存储区中用以存储所述数据的最后一页，并将所述最后一页上的所述数据写回所述第一存储器。

进一步优选的，所述控制器还用于在所述上电复位完成后，根据写回所述第一存储器的数据恢复运行所述编程程序。

进一步优选的，所述存储装置还包括外部控制器，具有第一接口以及第二接口，所述外部控制器通过所述第一接口与外部主机电连接，且通过所述第二接口与所述第二存储器电连接，所述外部控制器用以在所述编程程序运行时，对所述编程程序进行数据纠正。

进一步优选的，所述存储装置还包括储电电容，用以在发生所述电力异常事件时，对所述存储装置进行紧急供电。