[发明专利]一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺有效
| 申请号： | 202011075947.0 | 申请日： | 2020-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN112267039B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 王东;王全兆;马宗义;肖伯律;倪丁瑞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C29/06;B22F3/14 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 于晓波 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 体积 分数 碳化硅 颗粒 增强 复合材料 制备 工艺 | ||
1.一种高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺，其特征在于：该方法采用粉末冶金法制备复合材料，首先将碳化硅颗粒在较低温度下进行预氧化处理，SiC颗粒的预氧化处理在大气条件下进行，处理温度500-800℃，处理时间2-10小时；然后将预氧化处理后的SiC颗粒、铝合金粉末和镁粉均匀混合后所得混合粉末装入模具，经冷压成型后，分别在低温和高温进行热压烧结后，获得高致密度、高性能的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料；所述混合粉末中，SiC颗粒体积份数50-70份，铝合金粉末体积份数33-44.5份；镁粉末体积份数0.5-2份；
所述在低温和高温进行热压烧结过程为：先将粉末和模具加热到450-470℃，保温2-10小时，热压压力30-60MPa；之后将粉末和模具加热到590-620℃，保温2-10小时，热压压力30-60MPa。
2.按照权利要求1所述的高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺，其特征在于：所述混合粉末中，铝合金粉末为任意牌号的6000系铝合金，铝合金粉末尺寸为20-60微米；SiC颗粒尺寸为10-50微米；镁粉末为纯镁粉末，尺寸为10-50微米。
3.按照权利要求1所述高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料制备工艺，其特征在于：所述均匀混合过程为：将预氧化处理完毕的SiC颗粒、铝合金粉末和纯镁粉末依次装入混料罐中混合，混料机转速20-60rpm，时间10-24小时。
4.按照权利要求1所述高体积分数碳化硅颗粒增强铝基复合材料的制备工艺，其特征在于：所述冷压成型是将混合完毕的粉末装入模具中冷压成型，冷压压力30-60MPa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院金属研究所，未经中国科学院金属研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011075947.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
