[发明专利]一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法及键合结构

权利要求书

1.一种减少临时键合过程气泡形成的键合方法，其特征在于，包括步骤：

1)提供一焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极；

2)切去所述衬底的边角；

3)采用等离子对所述重布线介质层进行处理，使其表面具有粗化结构，提高所述重布线介质层的亲水性；

4)提供基板，利用胶层键合所述焊盘结构与所述基板。

2.根据权利要求1所述的减少临时键合过程气泡形成的键合方法，其特征在于：所述重布线介质层的材质包括PI、环氧树脂、硅胶、BPO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种或两种以上组合。

3.根据权利要求1所述的减少临时键合过程气泡形成的键合方法，其特征在于：所述金属填充包括铜、金、银填充中的一种；所述金属电极为铜-镍-金三层金属电极。

4.根据权利要求1所述的减少临时键合过程气泡形成的键合方法，其特征在于：所述切去衬底边角的方法包括刀片切割及磨轮切割中的一种。

5.根据权利要求1所述的减减少临时键合过程气泡形成的键合方法，其特征在于：所述等离子包括采用磁场激发O₂获得的等离子，其中，磁场功率范围介于400～2000W之间，O₂流量范围介于400～1600sccm之间，气压范围介于400～1600mtorr之间，处理时间范围介于20～120秒之间。

6.根据权利要求1所述的减少临时键合过程气泡形成的键合方法，其特征在于：所述胶层包括PI胶、PVB胶、EVA胶中的一种，所述键合的方法包括压缩成型、传递模塑成型、液封成型、塑封工艺、真空层压工艺中的一种，所述基板包括玻璃基板、金属基板、半导体基板、聚合物基板、以及陶瓷基板中的一种。

7.一种键合结构，其特征在于：结构至少包括：

焊盘结构，包括衬底、位于所述衬底中的金属填充的TSV深孔、位于所述衬底表面的重布线介质层、以及位于所述重布线介质层上的金属电极，所述重布线介质层表面经过等离子处理而具有粗化结构；

胶层，形成于所述重布线介质层上；

基板，贴附与所述胶层上。

8.根据权利要求7所述的键合结构，其特征在于：所述衬底为切去边角的衬底。

9.根据权利要求7所述的键合结构，其特征在于：所述金属填充包括铜、金、银填充中的一种；所述金属电极为铜-镍-金三层金属电极，所述重布线介质层的材质包括PI、环氧树脂、硅胶、BPO、BCB、氧化硅、磷硅玻璃、含氟玻璃中的一种。

10.根据权利要求7所述的键合结构，其特征在于：所述胶层包括PI胶、PVB胶、EVA胶中的一种，所述基板包括玻璃基板、金属基板、半导体基板、聚合物基板、以及陶瓷基板中的一种。