[发明专利]计算机可读存储介质、闪存存储器的数据存储方法及装置在审
申请号: | 202011056071.5 | 申请日: | 2020-09-29 |
公开(公告)号: | CN114327240A | 公开(公告)日: | 2022-04-12 |
发明(设计)人: | 柯冠宇 | 申请(专利权)人: | 慧荣科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F3/06 | 分类号: | G06F3/06;G06F12/06 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 计算机 可读 存储 介质 闪存 存储器 数据 方法 装置 | ||
本发明涉及一种计算机可读存储介质、闪存存储器的数据存储方法及装置,该方法由处理单元加载并执行闪存转换层的程序代码时实施,包含:将闪存模块的存储空间划分为第一区和第二区;将从主机端接收的属于第一分区类型的数据只写入第一区中的第一物理块;以及将从主机端接收的属于第二分区类型的数据写入第一区中的第一物理块和第二区中的第二物理块。由此,本发明通过如上所述的闪存模块的局部划分和采用依据不同分区类型的数据特性来写入数据的政策,可更有效地使用闪存模块的存储空间。
技术领域
本发明涉及存储装置,尤指一种计算机可读存储介质、闪存存储器的数据存储方法及装置。
背景技术
闪存通常分为NOR闪存与NAND闪存。NOR闪存为随机存取装置,中央处理器(Host)可于地址引脚上提供任何存取NOR闪存的地址,并及时地从NOR闪存的数据引脚上获得存储于该地址上的数据。相反地,NAND闪存并非随机存取,而是串行存取。NAND闪存无法像NOR闪存一样,可以存取任何随机地址,中央处理器反而需要写入串行的字节(Bytes)的值到NAND闪存中,用于定义请求命令(Command)的类型(如,读取、写入、抹除等),以及用在此命令上的地址。地址可指向一个页面(闪存中写入操作的最小数据块)或一个区块(闪存中抹除操作的最小数据块)。
有效地使用NAND闪存空间来存储不同类型的主机数据,一直在闪存控制器中是个重要的议题。因此,本发明提出一种计算机可读取存储介质、闪存存储器的数据存储方法及装置,适应于不同类型的主机数据。
发明内容
有鉴于此,如何减轻或消除上述相关领域的缺陷,实为有待解决的问题。
本发明涉及一种闪存存储器的数据存储方法,由处理单元加载并执行闪存转换层的程序代码时实施,包含:将闪存模块的存储空间划分为第一区和第二区;将从主机端接收的属于第一分区类型的数据只写入第一区中的第一物理块;以及将从主机端接收的属于第二分区类型的数据写入第一区中的第一物理块和第二区中的第二物理块。
本发明还涉及一种计算机可读取存储介质,用于存储能够被处理单元执行的程序代码,并且所述程序代码被所述处理单元执行时实现以下步骤:将闪存模块的存储空间划分为第一区和第二区;将从主机端接收的属于第一分区类型的数据只写入第一区中的第一物理块;以及将从主机端接收的属于第二分区类型的数据写入第一区中的第一物理块和第二区中的第二物理块。
本发明还涉及一种闪存存储器的数据存储装置,包含闪存接口、主机接口和处理单元。处理单元将闪存模块的存储空间划分为第一区和第二区;驱动闪存接口将通过主机接口从主机端接收的属于第一分区类型的数据只写入第一区中的第一物理块;以及驱动闪存接口将通过主机接口从主机端接收的属于第二分区类型的数据写入第一区中的第一物理块和第二区中的第二物理块。
第一区包含多个第一物理块,第二区包含多个第二物理块,每个第一物理块只能使用单层式单元模式来写入数据,每个第二物理块能够使用单层式单元模式或非单层式单元模式来写入数据。单层式单元模式用于编程存储单元以存储两个状态中的一个,非单层式单元模式用于编程存储单元以存储四个或更多状态中的一个。
上述实施例的优点之一,通过以上所述闪存模块的局部划分和采用依据不同分区类型的数据特性来写入数据的政策,可更有效地使用闪存模块的存储空间。
本发明的其他优点将配合以下的说明和附图进行更详细的解说。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解,构成本申请的一部分,本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请,并不构成对本申请的不当限定。
图1为依据本发明实施例的电子装置的系统架构图。
图2为依据本发明实施例的闪存模块的示意图。
图3为依据一些实施方式的主机分区和存储局部间的对照示意图。
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