[发明专利]阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板

说明书

本发明提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。本发明提供的阵列基板的制造方法，包括在衬底基板上沉积并形成栅极和扫描线；在栅极和扫描线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上沉积半导体层，并对半导体层进行刻蚀工艺，以形成半导体图形，其中，半导体图形包括第一半导体图形和第二半导体图形，第一半导体图形和栅极对应；在半导体图形的上方沉积源漏极金属层，并对源漏极金属层进行刻蚀工艺，以形成源极、漏极和数据线，其中，源极和漏极对应第一半导体图形，数据线和第二半导体图形对应。本发明提供的阵列基板的制造方法，能够减少寄生电容的产生。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器(Thin film transistor liquid crystal display，TFT-LCD)是各类电子产品上的主流显示设备，该类显示屏上的液晶像素点由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而显示屏幕信息。

TFT-LCD中的显示面板包括阵列基板，传统的阵列基板一般包括衬底基板和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层和源漏极金属层，其中，在栅极绝缘层和源漏极金属层之间会形成寄生电容，会对阵列基板的性能产生影响。

然而，如果需要克服上述缺陷，则需要对阵列基板的结构进行改进，当采用现有的4Mask工艺对改进后的阵列基板进行制造时，会形成新的寄生电容，影响阵列基板的性能。

发明内容

本发明实施例提供一种阵列基板的制造方法、阵列基板及显示面板，能够有效地减少寄生电容的产生。

第一方面，本发明提供一种阵列基板的制造方法，包括：

在衬底基板上沉积并形成栅极和扫描线；

在栅极和扫描线上形成栅极绝缘层；

在栅极绝缘层上沉积半导体层，并对半导体层进行刻蚀工艺，以形成半导体图形，其中，半导体图形包括第一半导体图形和第二半导体图形，第一半导体图形和栅极对应；

在半导体图形的上方沉积源漏极金属层，并对源漏极金属层进行刻蚀工艺，以形成源极、漏极和数据线，其中，源极和漏极对应第一半导体图形，数据线和第二半导体图形对应。

作为一种可选的实施方式，形成数据线包括：

在半导体图形的上方沉积源漏极金属层，并对源漏极金属层进行刻蚀工艺，

以使数据线的边缘和第二半导体图形的边缘重合。

作为一种可选的实施方式，对半导体层进行刻蚀工艺的掩膜版和对源漏极金属层进行刻蚀工艺的掩膜版的开口的至少部分边缘平齐，以使第二半导体图形和数据线具有相互重合的边缘。

作为一种可选的实施方式，对半导体层进行刻蚀工艺，以形成半导体图形，具体包括：通过灰色调掩膜版或半色调掩膜版形成半导体图形，其中，灰色调掩膜版或半色调掩膜版具有完全透光区域、半透光区域和不透光区域。

作为一种可选的实施方式，对半导体层进行刻蚀工艺，以形成半导体图形，具体包括：通过全掩膜版形成半导体图形，其中，全掩膜版具有完全透光区域和不透光区域。

作为一种可选的实施方式，对源漏极金属层进行刻蚀工艺，以形成源极、漏极和数据线，具体包括通过全掩膜版工艺形成源极、漏极和数据线。

作为一种可选的实施方式，半导体层为金属氧化物半导体层。

第二方面，本发明提供一种阵列基板，包括层叠设置的衬底基板和薄膜晶体管，薄膜晶体管包括依次层叠设置的栅极、栅极绝缘层、半导体层和源漏极金属层，源漏极金属层包括源极、漏极以及数据线；