[发明专利]一种锂电池负极保护电路在审

专利信息
申请号: 202011038999.0 申请日: 2020-09-27
公开(公告)号: CN112186849A 公开(公告)日: 2021-01-05
发明(设计)人: 贺江平;王俊喜;孙晓良 申请(专利权)人: 深圳市思远半导体有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00;H01M10/42
代理公司: 深圳君信诚知识产权代理事务所(普通合伙) 44636 代理人: 薛吉林
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 锂电池 负极 保护 电路
【说明书】:

发明提供一种锂电池负极保护电路,包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三极管、第一电阻以及第二电阻,其中,第二NMOS管至第五NMOS管之间串联连接并在串联之后与第一NMOS管相互并联,第一NMOS管的源极连接电源,第一NMOS管的漏极接地,三极管的发射极与第一NMOS管的源极连接并共同连接电源,三极管的集电极与第一NMOS管的漏极连接并共同接地,第一电阻与第三NMOS管相并联,第四NMOS管、第五NMOS管之间串联之后与第二电阻相并联。本发明提供的技术方案能进一步降低电池保护集成电路的设计成本,并提高保护电路的安全性及可靠性。

技术领域

本发明涉及半导体领域,尤其涉及一种锂电池负极保护电路。

背景技术

目前,在便携式应用中,锂离子电池供电非常广泛。由于锂离子电池存在稳定性问题,因此普遍地将电池保护IC作为电池系统的保护电路。电池保护IC除提供电池过充和过放、充电和放电电流极限等保护外,还需要在电池和充电器的正反接时不损坏锂电池及IC本身。

现有锂电池负极保护IC常用的结构包括单个功率NMOS结构和双功率NMOS结构,现有的单个功率NMOS结构只能在低压下使用。由于电池充电器在VDD和VM之间出现插拔或触碰时,VM电压会出现瞬间高压,可能会导致单个功率NMOS结构的IC出现损坏;双功率NMOS可以应用在VM出现瞬间高压的场景,但是使用双功率NMOS的成本较高,芯片尺寸面积较大。

因此,如何降低电池保护集成电路的设计成本以及如何提高保护电路的安全性及可靠性一直就是业界亟需改进的目标。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种锂电池负极保护电路,能降低电池保护集成电路的设计成本,并提高保护电路的安全性及可靠性。

本发明提出一种锂电池负极保护电路,该电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三极管、第一电阻以及第二电阻,其中,所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之间串联连接并在串联之后与所述第一NMOS管相互并联,所述第一NMOS管的源极连接电源,所述第一NMOS管的漏极接地,所述三极管的发射极与所述第一NMOS管的源极连接并共同连接所述电源,所述三极管的集电极与所述第一NMOS管的漏极连接并共同接地,所述第一电阻与所述第三NMOS管相并联,所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之间串联之后与所述第二电阻相并联。

优选的,所述第一NMOS管的衬底与第一组两个二极管的正极均相连,第一组两个二极管的负极分别连接所述第一NMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极。

优选的,所述第二NMOS管的源极连接所述电源,所述第二NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极,所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极,所述第四NMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的源极,所述第五NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极并共同接地,所述第一电阻的两端分别连接所述第三NMOS管的源极和漏极,所述第二电阻的两端分别连接所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极,所述三极管的基极与所述所述第三NMOS管的源极相连。

优选的,所述第二NMOS管的衬底与第二组两个二极管的正极均相连,第二组两个二极管的负极分别连接所述第二NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极。

优选的,所述第三NMOS管的衬底与第三组两个二极管的正极均相连,第三组两个二极管的负极分别连接所述第三NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极。

优选的,所述第四NMOS管的衬底与第四组两个二极管的正极均相连,第四组两个二极管的负极分别连接所述第四NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极。

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