[发明专利]一种锂电池负极保护电路

权利要求书

1.一种锂电池负极保护电路，其特征在于，所述电路包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、三极管、第一电阻以及第二电阻，其中，所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之间串联连接并在串联之后与所述第一NMOS管相互并联，所述第一NMOS管的源极连接电源，所述第一NMOS管的漏极接地，所述三极管的发射极与所述第一NMOS管的源极连接并共同连接所述电源，所述三极管的集电极与所述第一NMOS管的漏极连接并共同接地，所述第一电阻与所述第三NMOS管相并联，所述第四NMOS管、所述第五NMOS管之间串联之后与所述第二电阻相并联。

2.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第一NMOS管的衬底与第一组两个二极管的正极均相连，第一组两个二极管的负极分别连接所述第一NMOS管的源极和所述第一NMOS管的漏极。

3.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第二NMOS管的源极连接所述电源，所述第二NMOS管的漏极连接所述第三NMOS管的源极，所述第三NMOS管的漏极连接所述第四NMOS管的源极，所述第四NMOS管的漏极连接所述第五NMOS管的源极，所述第五NMOS管的漏极连接所述第一NMOS管的漏极并共同接地，所述第一电阻的两端分别连接所述第三NMOS管的源极和漏极，所述第二电阻的两端分别连接所述第四NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极，所述三极管的基极与所述所述第三NMOS管的源极相连。

4.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第二NMOS管的衬底与第二组两个二极管的正极均相连，第二组两个二极管的负极分别连接所述第二NMOS管的源极和所述第二NMOS管的漏极。

5.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第三NMOS管的衬底与第三组两个二极管的正极均相连，第三组两个二极管的负极分别连接所述第三NMOS管的源极和所述第三NMOS管的漏极。

6.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第四NMOS管的衬底与第四组两个二极管的正极均相连，第四组两个二极管的负极分别连接所述第四NMOS管的源极和所述第四NMOS管的漏极。

7.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第五NMOS管的衬底与第五组两个二极管的正极均相连，第五组两个二极管的负极分别连接所述第五NMOS管的源极和所述第五NMOS管的漏极。

8.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第一NMOS管内部结构包括设置在最底层的深N阱、叠加在所述深N阱上并互相间隔的高压P阱和两个N阱、远离所述深N阱的P阱，所述高压P阱叠加在所述深N阱上的中间位置，所述两个N阱分别位于所述高压P阱的两侧并分别叠加在所述深N阱上的边缘位置，所述P阱与其中一个N阱相临近。

9.如权利要求8所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述高压P阱内部包括一个P型衬底和位于所述P型衬底两侧的两个掺杂区，所述P型衬底作为所述第一NMOS管的衬底，所述两个掺杂区共同作为所述第一NMOS管的源极，所述两个N阱共同作为所述第一NMOS管的漏极，所述N阱的掺杂区和所述高压P阱的掺杂区共同作为所述第一NMOS管的栅极，远离所述深N阱的P阱接地。

10.如权利要求1所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，所述第二NMOS管、所述第三NMOS管、所述第四NMOS管、所述第五NMOS管中的任一个NMOS管内部结构均包括设置在最底层的深N阱、叠加在所述深N阱上并互相紧靠的P阱和两个N阱、远离所述深N阱的P阱，叠加在所述深N阱上的P阱位于所述深N阱上的中间位置，所述两个N阱分别位于所述深N阱上的边缘位置。

11.如权利要求10所述的锂电池负极保护电路，其特征在于，叠加在所述深N阱上的P阱内部包括两个P型衬底和两个掺杂区，所述两个P型衬底共同作为所述第二NMOS管的衬底，所述两个掺杂区分别作为所述第二NMOS管的源极和漏极，在所述两个掺杂区之间设置有所述第二NMOS管的栅极，远离所述深N阱的P阱接地。