[发明专利]晶圆检测设备在审
| 申请号: | 202011038027.1 | 申请日: | 2020-09-28 |
| 公开(公告)号: | CN112164661A | 公开(公告)日: | 2021-01-01 |
| 发明(设计)人: | 叶莹 | 申请(专利权)人: | 上海果纳半导体技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;高德志 |
| 地址: | 201306 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 检测 设备 | ||
1.一种晶圆检测设备,其特征在于,包括:
晶圆载台,用于固定待检测晶圆并能使所述固定后的待检测晶圆移动;
激光模块,用于在待检测晶圆移动时向所述待检测晶圆的表面发射检测激光;
摄像头阵列,所述摄像头阵列包括若干摄像头,用于获得所述检测激光照射所述待检测晶圆表面时反射的光斑的位移;
曲率获取模块,用于根据所述光斑的位移获得所述待检测晶圆的曲率。
2.如权利要求1所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述激光模块用于发射一束或多束的检测激光。
3.如权利要求2所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述激光模块发射多束检测激光时,所述摄像头阵列获得多个光斑对应的多个位移,所述曲率获取模块根据多个位移获取所述待检测晶圆的多个曲率。
4.如权利要求1或2所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述摄像头阵列通过一个摄像头获取所述光斑的位移。
5.如权利要求1或2所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述摄像头阵列通过多个摄像头获取所述光斑的位移。
6.如权利要求1所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述摄像头阵列还用于通过一次拍摄获得所述待检测晶圆整个表面对应的检测图像,所述晶圆检测设备还包括缺陷判断模块,所述缺陷判断模块根据所述摄像头阵列获得的检测图像,判断所述待检测晶圆的表面是否存在缺陷。
7.如权利要求6所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述摄像头阵列中所有摄像头的尺寸相同,放大倍率相同,所述放大倍率为10~250倍。
8.如权利要求7所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述摄像头阵列还包括图像拼接单元,所述图像拼接单元用于将所述摄像头阵列中的所有摄像头在同一倍率下获得的若干图像进行拼接获得待检测晶圆整个表面对应的检测图像。
9.如权利要求6所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述摄像头阵列中包括具有第一放大倍率的若干第一摄像头和具有第二放大倍率的若干第二摄像头,所述第一放大倍率小于第二放大倍率,所述第一摄像头的数量大于第二摄像头的数量。
10.如权利要求9所述的晶圆检测设备,其特征在于,所述摄像头阵列在对待检测晶圆的表面进行拍摄时,所述第一摄像头和第二摄像头开始均采用同一倍率进行拍摄,获得若干第一检测图像;然后,所述第二摄像头增大倍率进行拍摄,获得若干第二检测图像,所述摄像头阵列还包括图像拼接单元,所述图像拼接单元用于将所述若干第一检测图像进行拼接获得待检测晶圆整个表面对应的检测图像。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





