[发明专利]阻变存储器的制备方法在审
| 申请号： | 202011033774.6 | 申请日： | 2020-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN112201749A | 公开（公告）日： | 2021-01-08 |
| 发明（设计）人： | 陈亮;仇圣棻;杨芸;李晓波 | 申请（专利权）人： | 昕原半导体（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人： | 张娓娓;袁文婷 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储器 制备 方法 | ||
1.一种阻变存储器的制备方法，其特征在于，包括：
采用物理气相沉积在介质层上依次沉积底部电极、转换层、顶部电极以及刻蚀阻挡层；
对所述刻蚀阻挡层进行光刻光阻处理；
根据所述光刻光阻处理形成的图像，依次对所述刻蚀阻挡层、所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极进行刻蚀；
对刻蚀后的所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极的侧壁进行氧化制程。
2.如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，
所述底部电极和所述顶部电极均为金属层，所述转换层为金属氧化物层。
3.如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，
对所述刻蚀阻挡层进行光刻光阻处理，包括如下步骤：
在所述刻蚀阻挡层涂光刻胶；
对涂有所述光刻胶的所述刻蚀阻挡层进行曝光处理，形成所需图像。
4.如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，
通过在所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极的侧壁上进行氧化制程，在所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极的侧壁上形成一层氧化层，其中，所述氧化层的厚度为
5.如权利要求1所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，
所述氧化制程包括O2氧化和O3氧化。
6.如权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，
当所述氧化制程采用O2氧化时，
在功率为1000W的射频电源下，将反应腔内的O2电离为原子态或者带电离子；
电离为原子态或者带电离子的O2与刻蚀后的所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极的侧壁的金属原子发生反应，形成氧化层。
7.如权利要求6所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，
通入所述反应腔内O2的流量为10～200sccm。
8.如权利要求5所述的阻变存储器的制备方法，其特征在于，
当所述氧化制程采用O3氧化时，
将O3溶解在去离子水中；
通过溶解有O3的去离子水清洗侧壁被刻蚀后的所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极的侧壁；
去离子水中的O3与刻蚀后的所述顶部电极、所述转换层以及所述底部电极的侧壁的金属原子发生反应，形成氧化层。
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