[发明专利]一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法

权利要求书

1.一种用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于，包括如下步骤：

S1、不同生产线上用于在硅片上刻蚀出的激光光斑大小各不相同；

S2、同一生产线上沿着同一方向设有的多个激光机台预设的激光图案上均设计激光标识(2)，同一所述生产线的所述激光机台上的所述激光标识(2)分别刻蚀在不同细栅线(1)的尾部；所述尾部与所述细栅线断开；

在激光扩散后面的工序中如果存在经测试后确定是由激光扩散处理发生偏移引起异常的所述硅片，则通过显微镜根据硅片中所述激光光斑大小和激光标识(2)追溯异常激光机台和异常硅片。

2.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)设计成线段图形。

3.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)设计成点状图形。

4.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述S2步骤中，每个所述激光机台有两个输出端，所述输出端分别在同一条所述细栅线(1)的左右侧刻蚀出所述激光标识(2)。

5.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述S2步骤中，每个所述激光机台有两个输出端，两所述输出端在所述细栅线(1)刻蚀的所述激光标识(2)数量不一致。

6.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光光斑直径50-150μm。

7.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)在硅片上的深度为20-50μm。

8.根据权利要求1所述的用激光线追溯晶体硅电池生产信息的方法，其特征在于：所述激光标识(2)长度50-300μm。