[发明专利]等离子体处理装置

说明书

本发明涉及等离子体处理装置。提供用于避免由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。一个例示的实施方式的等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。聚焦环载置于载置台，具有导电性。导电性环载置于盖环。位于聚焦环的外周的第1侧面和位于导电性环的内周的第2侧面彼此相对并分离开。

技术领域

本公开的例示的实施方式涉及等离子体处理装置。

背景技术

例如，如专利文献1所公开的那样，进行基板处理的等离子体处理装置可以具有具备聚焦环(focus ring)和盖环(cover ring)的结构。通过以包围半导体基板的周围的方式配置导电性的聚焦环，而缓和基板端部的偏置电位的不连续性，从而提高等离子体处理的均匀性。在该聚焦环(也被称为边缘环)的周围设有石英的盖环。聚焦环的外周侧面被盖环覆盖。

专利文献1：日本特开2018-206913号公报

发明内容

发明要解决的问题

覆盖聚焦环的外周侧面的石英等的盖环由于等离子体的离子等的溅射而随着时间损耗。盖环由于在聚焦环附近侧特别损耗，因此，随着盖环的损耗，被盖环覆盖的聚焦环的外周侧面相对于等离子体暴露。在这样的情况下，聚焦环的作为阴极的面积变化。即，在聚焦环的外周侧面被盖环覆盖的情况下，聚焦环的上表面作为阴极发挥功能。相对于此，在盖环损耗而使聚焦环的外周侧面暴露时，导致聚焦环的外周侧面也作为阴极发挥功能。因而，根据盖环的损耗前后，产生在基板端部发生倾斜等工艺变化。本公开提供用于抑制由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。

用于解决问题的方案

在一个例示的技术方案中，提供等离子体处理装置。等离子体处理装置具备载置台、聚焦环、盖环、导电性环以及高频电源。载置台具有用于载置基板的基板载置部和包围基板载置部的周缘部。聚焦环载置于载置台的周缘部，具有导电性。盖环包围载置台的外周，由电介质构成。导电性环载置于盖环。高频电源与载置台结合起来。位于聚焦环的外周部的第1面和位于导电性环的内周部的第2面彼此相对并分离开。盖环具有使聚焦环和导电性环分离开的分离部。

发明的效果

根据本公开，能够提供用于抑制由盖环的损耗引起的工艺变化的技术。

附图说明

图1是表示一个例示的实施方式的等离子体处理装置的结构的一例的图。

图2是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的一例的图。

图3是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。

图4是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的一例的图。

图5是表示导电性环的内周下表面的结构和分离部的结构的变化的图。

图6是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。

图7是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。

图8是表示一个例示的实施方式的导电性环的结构的另一例的图。

具体实施方式