[发明专利]等离子体处理装置

权利要求书

1.一种等离子体处理装置，其中，

该等离子体处理装置具有：

载置台，其具有用于载置基板的基板载置部和包围所述基板载置部的周缘部；

聚焦环，其载置于所述载置台的所述周缘部，具有导电性；

盖环，其包围所述载置台的外周，由电介质构成；

导电性环，其载置于所述盖环；以及

高频电源，其与所述载置台结合起来，

位于所述聚焦环的外周部的第1面和位于所述导电性环的内周部的第2面彼此相对并分离开，

所述盖环具有使所述聚焦环和所述导电性环分离开的分离部。

2.根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其中，

所述聚焦环的内周部由所述载置台的所述周缘部支承，所述聚焦环的所述外周部覆盖所述盖环的内周部上表面。

3.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述第1面是所述聚焦环的外周部侧面，所述第2面是所述导电性环的内周部侧面。

4.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述第1面是所述聚焦环的外周部下表面，所述第2面是所述导电性环的内周部上表面。

5.根据权利要求1或2所述的等离子体处理装置，其中，

所述第1面是所述聚焦环的外周部上表面，所述第2面是所述导电性环的内周部下表面。

6.根据权利要求4所述的等离子体处理装置，其中，

所述聚焦环的外周部侧面和所述导电性环的内周部侧面彼此相对并分离开。

7.根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其中，

所述导电性环的内周部上表面的与所述聚焦环的外周部下表面相对的面积比所述导电性环的内周部侧面的与所述聚焦环的外周部侧面相对的面积大。

8.根据权利要求6或7所述的等离子体处理装置，其中，

所述聚焦环的外周部下表面和所述导电性环的内周部上表面之间的间隙比所述聚焦环的外周部侧面和所述导电性环的内周部侧面之间的间隙窄。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述聚焦环和所述导电性环在所述第1面和所述第2面电容耦合。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述第1面和所述第2面之间的距离大于0且比所述聚焦环的厚度小。

11.根据权利要求1～10中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述导电性环的内周部下表面位于比所述聚焦环的外周部下表面靠下方的位置。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述分离部是在所述盖环的表面形成的槽部，所述导电性环的内周部下表面容纳在所述槽部内。

13.根据权利要求1～11中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述分离部是构成为供所述导电性环的内周部侧面抵接且在所述盖环的表面形成的台阶部。

14.根据权利要求1～13中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述导电性环以所述导电性环的外周位于所述盖环的外周的内侧的方式配置，

所述盖环的外周部上表面暴露于等离子体处理空间。

15.根据权利要求1～14中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述盖环由多个电介质组件构成。

16.根据权利要求1～15中任一项所述的等离子体处理装置，其中，

所述基板载置部和所述周缘部由静电卡盘构成。