[发明专利]量子点发光器件及其制备方法、显示装置

说明书

提供了一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置；包括相对设置的第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层，所述第一电极采用水分散体材料，所述第一电极与所述量子点发光层之间形成有防水层；能够对量子点发光层进行有效的防水保护。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

量子点也称半导体纳米晶，是少量原子组成的、三个维度尺寸通常是1nm～100nm的零维纳米结构，量子点具有带隙可调、窄的发射谱，近些年广泛的应用在LED(发光二极管)器件，量子点发光二极管具有自发光、色纯度高、能耗低、图像稳定、视角范围广、色彩丰富等优点，近些年被认为是继LCD和OLED(有机发光二极管)之后的新一代显示技术，具有广阔的应用前景。

量子点发光二极管(QLED，Quantum Dot Light-Emitting Diode)是将量子点作为发光层的器件；通过在不同的导电材料之间引入由量子点形成的发光层，从而得到所需波长的光。QLED具有色域高、自发光、启动电压低、响应速度快等优点，使得其在显示领域以及照明领域具有广阔的应用前景，是目前热门的研究方向。

发明内容

本发明实施例所要解决的技术问题是，提供一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，能够对量子点发光层进行有效的防水保护。

为了解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种量子点发光器件，包括相对设置的第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的量子点发光层，所述第一电极采用水分散体材料，所述第一电极与所述量子点发光层之间形成有防水层。

在示例性实施方式中，所述防水层的材料采用金属氧化物。

在示例性实施方式中，所述金属氧化物采用锡金属氧化物、钼金属氧化物、钨金属氧化物和镍金属氧化物的一种或几种组合。

在示例性实施方式中，所述防水层的致密度大于99％。

在示例性实施方式中，所述防水层的厚度为5nm至30nm。

在示例性实施方式中，所述量子点发光层与所述防水层之间设置有电子传输层，所述电子传输层上形成所述防水层。

在示例性实施方式中，所述电子传输层的材料采用偶氮化合物纳米颗粒、氧化锌镁合金纳米颗粒、氧化锌纳米颗粒以及氧化锌铝合金纳米颗粒中的一种或几种组合。

在示例性实施方式中，所述水分散体材料为金属纳米线。

本发明实施例还提供了一种显示装置，包括前述的量子点发光器件。

本发明实施例还提供了一种量子点发光器件的制备方法，包括：

形成第二电极；

在所述第二电极之上形成量子点发光层；

在所述量子点发光层之上形成防水层；

在所述防水层上涂覆水分散体溶液，使所述水分散体溶液形成第一电极。

本发明实施例提供了一种量子点发光器件及其制备方法、显示装置，通过防水层对量子点发光层进行防水保护，避免水分散体材料形成第一电极的过程中，液体对量子点发光层造成破坏。

当然，实施本发明的任一产品或方法并不一定需要同时达到以上所述的所有优点。本发明的其它特征和优点将在随后的说明书实施例中阐述，并且，部分地从说明书实施例中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明实施例的目的和其他优点可通过在说明书、权利要求书以及附图中所特别指出的结构来实现和获得。

附图说明