[发明专利]一种掩膜版

说明书

本发明揭示一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分遮光区域，所述全遮光区域与所述部分遮光区域连接。本发明掩膜版，通过调整拼接曝光区域的形状，使得一半以上的拼接曝光区域由全遮光区域形成，增加了开口率，改善了面板的纵条纹Mura。

技术领域

本发明涉及一种曝光的技术领域，尤其涉及一种掩膜版。

背景技术

UV²A(Ultra Violet Vertical Alignment)技术是一种使用紫外线(UV＝UltraViolet)进行液晶配向的VA(Vertical Alignment，垂直配向)面板技术，其名称来源于紫外线UV与液晶面板VA模式的相乘。通过导入UV²A技术后，可以省去目前在VA模式液晶面板中用于控制液晶分子配向的狭缝隙和突起，因此通过UV²A技术液晶面板的开口率、对比度和响应速度都能得到提高，并能大幅削减生产程序。

如图1所示，UV²A光配向技术光配向技术利用线性偏极的紫外线(UV)10照射在具有感光剂的高分子聚合物形成的配向膜20上，使得高分子聚合物表面的高分子主链向紫外线(UV)10照射方向倾斜，从而具有配向能力，液晶分子30就会沿着这条主链的方向倾斜；通过控制配向的角度，液晶分子30的配向精度是相对于液晶分子的长度(约2nm)成±20pm的角度。其优点为可避免玻璃基板表面的污染、可以进行小面积的配向、透过光罩可作图形的配向，利用入射光的角度与照射时间的长短，可以控制液晶单元的参数，如预倾角、表面定向强度等。

UV²A曝光时，配向曝光机由12块掩膜版41组成，6块掩膜版41位于上侧、6块掩膜版41位于下侧，上侧的掩膜版和下侧的掩膜版存在交叠的位置，这样12块掩膜版41可拼接对一个基板100进行完整的曝光，如图2所示，不同的掩膜版都由独立的灯源和光路组成。

图3为采用图2所示的12个掩膜版进行多畴配向的液晶显示面板，其中一块大基板1可以切割成6个小基板2，采用12个掩膜对大基板1进行曝光时，在灰阶画面下出现纵Mura不良，其纵条纹Mura位置与上侧掩膜版和下侧掩膜版之间的交叠位置3(图3示意了交叠位置3的长度为45mm)相符，影响液晶显示面板品质。由于不同掩膜版的灯源和光路差异，导致上侧掩膜版和下侧掩膜版之间的交叠位置3界处产生纵条纹Mura。

图4为掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域示意图，每块掩膜版的曝光区域由正常曝光区域和拼接曝光区域组成，其中正常曝光区域的长度为160mm，拼接曝光区域的长度为45mm，拼接区域采用正余弦波形结构。

图5为掩膜版正常曝光区域和拼接曝光区域的放大示意图，非拼接处002为正常曝光区域，拼接处001为拼接曝光区域，上侧掩膜版和下侧掩膜版的拼接曝光区域，组成一个完整的曝光。

现有掩膜版在灰阶画面下出现纵Mura不良，其纵条纹Mura位置与TFT侧掩膜版的交叠位置相符，影响面板品质。

发明内容

本发明的目的在于提供一种调整拼接曝光区域的形状且改善纵条纹Mura的掩膜版。

本发明揭示一种掩膜版，用于光配向技术，其包括遮光区域和曝光区域，掩膜版的曝光区域包括正常曝光区域以及位于正常曝光区域两侧的拼接曝光区域，所述拼接曝光区域包括远离所述正常曝光区域的全遮光区域和靠近所述正常曝光区域的部分遮光区域，所述全遮光区域与所述部分遮光区域连接。

进一步地，所述全遮光区域的形状为矩形，所述部分遮光区域的形状为正余弦波形。

进一步地，所述全遮光区域的宽度大于部分遮光区域的宽度2倍以上。