[发明专利]薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法

说明书

本发明公开了一种薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法，该薄膜晶体管包括基底结构；有源层，有源层包括通道层、第一导电层和第二导电层，通道层设置于基底结构上，第一导电层和第二导电层分别设置于通道层的两端；源极，设置于基底结构和第一导电层上；漏极，设置于基底结构和第二导电层上；其中，在源极和漏极之间暴露部分所述通道层。本发明的所提供的薄膜晶体管不仅可以避免通道层的界面因刻蚀用于形成源极和漏极的金属材料造成损伤的现象出现，同时还可以降低源极与第一导电层之间的势垒高度、漏极与第二导电层之间的势垒高度，从而提高了最终制备的器件的开态电流及整体电性性能。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法。

背景技术

随着信息技术的发展，人们对显示装置的需求得到了快速的增长。为了满足这种需求，以液晶显示器(LCD，Liquid Crystal Display)、等离子体显示器(PDP，PlasmaDisplay Panel)、有机发光显示器件(OLED，Organic Light Emitting Diode)为代表的显示装置都得到了迅猛地发展。

随着显示器行业的发展，特别是应用于OLED的电流驱动，要求TFT((Thin FilmTransistor)是薄膜晶体管)具有较高的迁移率和更佳的稳定性。在目前制备TFT技术中，相较于A-Si(非晶硅)，LTPS(Low Temperature Poly-Silicon，低温多晶硅)与MOSTFT(金属氧化物半导体薄膜晶体管)所制备的TFT均具有较高的迁移率，能达到比较高的开电流。但是LTPS仍有较大的漏电流，且制造成本会比较高。而MOSTFT中IGZO-TFT已较多应用于显示器背板技术中，MOSTFT可以在传统A-Si BCE(Back Channel Etching，背沟道刻蚀)生产工艺上简单转换便可以实现技术变更：通过增加PVD(Physical Vapour Deposition，物理气相沉积)完成金属氧化物溅镀，通过增加Oven(高温炉)完成Anneal(退火工艺)膜质改善，且绝缘层或保护膜可以由SiNx换成SiOx。因此，目前MOSTFT得到了广泛的应用

但是，当MOSTFT应用于BCE结构中时，在刻蚀制备源极和漏极时会刻蚀掉一定厚度的有源层，造成有源层界面损伤，由此会影响显示面板的稳定性和信赖性。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

一种薄膜晶体管，包括：

基底结构；

有源层，所述有源层设置于所述基底结构上，所述有源层包括通道层、第一导电层和第二导电层，其中，所述通道层设置于所述基底结构上，所述第一导电层和所述第二导电层分别设置于所述通道层的两端，且所述第一导电层和所述第二导电层的材料相同；

源极，所述源极设置于所述基底结构和所述第一导电层上，且所述源极覆盖所述第一导电层的上表面；

漏极，所述漏极设置于所述基底结构和第二导电层上，且所述漏极覆盖所述第二导电层的上表面；

其中，在所述源极和所述漏极之间暴露部分所述通道层。

在本发明的一个实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层的导电性大于所述通道层的导电性。

在本发明的一个实施例中，所述通道层的材料为三元或四元金属氧化物半导体材料。

在本发明的一个实施例中，所述第一导电层和所述第二导电层的材料为二元或三元金属氧化物半导体材料。

本发明一个实施例还提供一种显示面板，包括上述任一项实施例所述的薄膜晶体管。