[发明专利]薄膜晶体管、显示面板、显示器及薄膜晶体管的制备方法在审
| 申请号： | 202011017287.0 | 申请日： | 2020-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN114256356A | 公开（公告）日： | 2022-03-29 |
| 发明（设计）人： | 蔡奇哲;梁靖靖;吴威谚 | 申请（专利权）人： | 咸阳虹微新型显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/06;H01L21/335;H01L27/12 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 马瑞 |
| 地址： | 712000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 面板 显示器 制备 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
基底结构；
有源层，所述有源层设置于所述基底结构上，所述有源层包括通道层、第一导电层和第二导电层，其中，所述通道层设置于所述基底结构上，所述第一导电层和所述第二导电层分别设置于所述通道层的两端，且所述第一导电层和所述第二导电层的材料相同；
源极，所述源极设置于所述基底结构和所述第一导电层上，且所述源极覆盖所述第一导电层的上表面；
漏极，所述漏极设置于所述基底结构和第二导电层上，且所述漏极覆盖所述第二导电层的上表面；
其中，在所述源极和所述漏极之间暴露部分所述通道层。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的导电性大于所述通道层的导电性。
3.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述通道层的材料为三元或四元金属氧化物半导体材料。
4.根据权利要求1或2所述的薄膜晶体管，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的材料为二元或三元金属氧化物半导体材料。
5.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1至4任一项所述的薄膜晶体管。
6.一种显示器，其特征在于，包括权利要求5所述的显示面板。
7.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：
制备基底结构；
在所述基底结构上形成通道层；
在所述通道层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成覆盖所述半导体层的金属层；
去除预设区域的所述半导体层的材料和所述金属层的材料，以在所述通道层的两端形成第一导电层和第二导电层，以及在所述基底结构和所述第一导电层上形成源极，在所述基底结构和所述第二导电层上形成漏极，其中，所述源极覆盖所述第一导电层的上表面，所述漏极覆盖所述第二导电层的上表面。
8.根据权利要求7所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第一导电层和所述第二导电层的导电性大于所述通道层的导电性。
9.根据权利要求7或8所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，去除预设区域的所述半导体层的材料和所述金属层的材料，包括：
利用第一刻蚀液刻蚀所述预设区域的所述金属层的材料；
利用第二刻蚀液刻蚀所述预设区域的所述半导体层的材料。
10.根据权利要求9所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述第二刻蚀液刻蚀所述半导体层的刻蚀速率大于所述通道层的刻蚀速率。
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