[发明专利]FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置有效
申请号: | 202011012135.1 | 申请日: | 2020-09-24 |
公开(公告)号: | CN111931442B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 刘锴;宋宁;李秦飞;马得尧;杜金凤 | 申请(专利权)人: | 广东高云半导体科技股份有限公司 |
主分类号: | G06F30/34 | 分类号: | G06F30/34 |
代理公司: | 上海思捷知识产权代理有限公司 31295 | 代理人: | 王宏婧 |
地址: | 510000 广东省广*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | fpga flash 控制器 电子 装置 | ||
本发明提供了一种FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置,所述FPGA内嵌FLASH控制器基于FPGA的逻辑资源实现,具有接口模块、FLASH逻辑控制模块以及多个FLASH功能模块,接口模块连接主设备,多个FLASH功能模块与不同类型的FLASH存储器一一对应设置并连接相应类型的FLASH存储器。本发明的技术方案,能够利用FPGA可重复编程的特点,来根据不同的应用场景动态配置,以兼容不同类型的FLASH存储器。该设计提高了FPGA内嵌或外连FLASH存储器的扩展性和易用性,降低了FPGA内嵌或外连FLASH存储器设计和应用的复杂度,提高了FPGA逻辑资源和FLASH存储资源的应用灵活性,提高了产品的开发的效率和速度。
技术领域
本发明涉及FPGA内嵌FLASH控制器设计技术领域,特别涉及一种FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置。
背景技术
随机读取是指存储器进行读写操作时,所需要的读取操作时间与所访问的地址无关,FLASH存储器是一种可以通过地址指令随机访问到各个存储单元的一种存储器,具有随机读取特性、数据掉电不易丢失,支持存储单元数据的高速读取,通常可以将FLASH存储器作为永久存储数据的存储介质。
FPGA(Field-Programmable Gate Array,现场可编程门阵列)是一种在制造后可以被用户编程修改的电路,可以通过硬件描述语言编程,完成某种特定任务。同时FPGA以其硬件并行程度高、验证效率高而被广泛应用。在实际应用中,不同厂家生产的FPGA型号不同,其内嵌或者外连FLASH存储器的型号也有所不同,导致在应用FPGA内嵌或者外连FLASH存储器时需要花费大量时间来熟悉其型号和接口时序,从而增加了应用复杂度,大大降低了产品的开发的效率和速度。
发明内容
本发明的目的在于提供一种FPGA内嵌FLASH控制器及电子装置,能够提高FPGA内嵌或外连FLASH存储器的扩展性和易用性,降低FPGA内嵌或外连FLASH存储器设计和应用的复杂度,提高产品的开发的效率和速度。
为解决上述技术问题,本发明提供一种FPGA内嵌FLASH控制器,所述FPGA内嵌FLASH控制器,并包括:
接口模块,用于建立与主设备的通信连接,使得主设备能够访问和控制FLASH逻辑控制模块;
多个FLASH功能模块,与不同类型的FLASH存储器一一对应设置并连接相应类型的FLASH存储器,用于实现对所连接的FLASH进行相应的功能操作;
FLASH逻辑控制模块,连接所述接口模块和所述多个FLASH功能模块。
可选地,所述FLASH逻辑控制模块用于将所述主设备发送的操作指令映射为相应的寄存器的相关操作,并选择和匹配对应的所述FLASH功能模块,控制所选择的FLASH功能模块根据所述寄存器的相关操作,对所连接的FLASH存储器进行相应的功能操作,以实现不同类型的FLASH存储器的兼容。
可选地,所述接口模块与所述主设备通过相应的通信协议总线通信连接,所述通信协议总线为AHB总线、APB总线、AXI总线、WISHBONE总线或Avalon总线;或者,所述接口模块与所述主设备的寄存器接口连接。
可选地,所述接口模块还用于译码所述主设备的存储地址空间,解析所述FLASH逻辑控制模块中的各个寄存器,并将各个所述寄存器映射到所述主设备的存储地址空间的不同地址区域中。
可选地,所述接口模块包括:
地址判断模块,连接所述主设备,并用于判断所述主设备发送的地址信号是否有效,若否,则所述接口模块不使能,与所述FPGA内嵌FLASH控制器连接的FLASH存储器维持原状,若是,则所述接口模块使能,继续后续操作;
操作判断模块,连接所述地址判断模块,用于对所述主设备发送的操作指令进行判断,并输出相应的判断结果;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于广东高云半导体科技股份有限公司,未经广东高云半导体科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202011012135.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。