[发明专利]一种IBC太阳能电池结构及其制备工艺

权利要求书

1.一种IBC太阳能电池结构，其特征在于，包括依次层叠设置的减反射层、正面钝化膜层、p型扩散层、n型单晶硅基底层、背面钝化膜层、有机异质结层、背面导电保护层、背面电极；

所述n型单晶硅基底层包括正面和背面，所述正面构造为绒面结构；所述正面包括p型扩散层且所述p型扩散层形成有正面p+型发射区；所述背面形成图形化的有机异质结层，所述有机异质结层包括p型有机异质结层和n型有机异质结层，所述p型有机异质结层和n型有机异质结层中间有形成空间隔离区；所述有机异质结层平整贴附于所述背面钝化膜层。

2.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述减反射层为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氟化镁中一种或多种。

3.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述正面钝化膜层包括层叠设置的氧化铝层和氧化硅层，所述氧化铝层贴合设置于所述减反射层，所述氧化硅层贴合设置于所述p型扩散层。

4.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述p型扩散层通过硼扩散或硼离子注入形成。

5.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池结构，其特征在于，所述背面导电保护层构造为透明导电TCO保护层，所述TCO选自ZnO、In₂O₃、Ga₂O₃、TiO₂、ZrO₂中的一种或多种混合物。

6.一种IBC太阳能电池结构的制备工艺，其特征在于，所述制备工艺包括以下步骤：

S1、对n型单晶硅片的正面和反面进行制绒，制备出金字塔形状的绒面结构；

S2、在所述n型单晶硅片的正面进行进行硼扩散形成p层，对n型单晶硅片的正面进行局域掺杂，形成正面pn结发射区；

S3、用酸或减溶液对n型单晶硅片的背面进行刻蚀抛光，去除背面扩散层和侧面导电通道；

S5、在氧化炉中对n型单晶硅片进行热氧化，在正面形成氧化硅层；

S6、在正面沉积钝化减反射层；

S7、用酸溶液对n型单晶硅片的背面进行清洗；

S8、对背面进行氧化退火，在背面沉积氧化硅钝化层；

S9、在背面制备p型有机异质结膜层；

S10、在背面制备n型异质结膜层；

S11、退火后在背面沉积TCO导电保护层。

S12、制备空间隔离槽，将背面p型异质结膜层和n型异质结膜层形成空间隔离；

S13、制备背面电极。

7.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述步骤S6中钝化减反射层为氧化铝与氮化硅叠层。

8.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述步骤S7中用酸溶液对n型单晶硅片的背面进行清洗具体包括采用HF对背面表面进行清洗，去除背面氧化硅、绕镀氧化铝和氮化硅。

9.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述步骤S9中p型有机异质结膜层为通过印刷、喷涂、旋涂或喷墨打印方法形成的PEDOT：PSS材料层；所述步骤S10中n型有机异质结膜层为通过印刷、喷涂、旋涂或喷墨打印形成的PCBM层。

10.根据权利要求1所述的IBC太阳能电池的制备工艺，其特征在于，所述步骤S12中制备空间隔离槽的具体方式为采用激光划刻、机械划刻或化学腐蚀形成空间隔离槽。