[发明专利]面光源及其制备方法和显示装置

说明书

本发明涉及一种面光源及其制备方法和显示装置。所述面光源，包括：基板、第一发光二极管芯片、第一光线调整结构与第一光转换结构，第一发光二极管芯片位于基板上，用于发射第一颜色的光；第一光线调整结构位于基板上，且与第一发光二极管芯片相邻，用于将从第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离基板的表面射出；第一光转换结构位于第一光线调整结构远离基板的一侧，用于将从第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离基板的表面射出，第一颜色的光的颜色与第二颜色的光的颜色不同。根据本发明的实施例，可以提高显示装置的良率、降低成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种面光源及其制备方法和显示装置。

背景技术

相关技术中，MiniLED与MicroLED显示面板均利用红光芯片、绿光芯片和蓝光芯片发光，但是，由于红光芯片的发光层的材料包括AlGaInP(磷化铟镓铝)，因此，导致红光芯片良率较低，价格较贵，成本较高。

发明内容

本发明提供一种面光源及其制备方法和显示装置，以解决相关技术中的不足。

根据本发明实施例的第一方面，提供一种面光源，包括：

基板；

第一发光二极管芯片，位于所述基板上，用于发射第一颜色的光；

第一光线调整结构，位于所述基板上，且与所述第一发光二极管芯片相邻，用于将从所述第一发光二极管芯片接收的第一颜色的光均匀地从远离所述基板的表面射出；

第一光转换结构，位于所述第一光线调整结构远离所述基板的一侧，用于将从所述第一光线调整结构接收的第一颜色的光转换为第二颜色的光，并从远离所述基板的表面射出，所述第一颜色的光的颜色与所述第二颜色的光的颜色不同。

在一个实施例中，所述第一发光二极管芯片为蓝光芯片，所述第一颜色的光为蓝光；所述第二颜色的光为绿光或红光。

在一个实施例中，所述第一光线调整结构的高度大于所述第一发光二极管芯片的高度；所述第一光线调整结构的高度大于或等于所述第一发光二极管芯片的高度的1.1倍；所述第一光线调整结构与所述第一发光二极管芯片之间存在间隙；所述第一光线调整结构包括多个网点，所述多个网点位于所述第一光线调整结构靠近所述基板的一侧。

在一个实施例中，所述第一光转换结构包括量子点、荧光粉和/或钙钛矿。

在一个实施例中，所述的显示面板还包括第一挡墙，所述第一挡墙位于所述第一发光二极管芯片远离所述第一光线调整结构的一侧，用于将来自所述第一发光二极管芯片的第一颜色的光反射至所述第一光线调整结构。

在一个实施例中，所述第一挡墙包括一个弧面，所述弧面所在球体的球心位于所述第一挡墙靠近所述第一发光二极管芯片的一侧；所述第一发光二极管芯片在所述基板上的投影位于所述弧面在所述基板上的投影内；所述第一挡墙的高度大于或等于所述第一光线调整结构的高度。

在一个实施例中，所述的显示面板还包括第二挡墙，所述第二挡墙位于所述第一挡墙远离所述基板的一侧，所述第二挡墙用于遮光；所述第二挡墙的高度小于或等于所述第一光转换结构的高度；所述第二挡墙远离所述基底的表面与所述第一光转换结构远离所述基底的表面齐平。

根据本发明实施例的第二方面，提供一种显示装置，包括：

基板；