[发明专利]芯片涂胶方法、装置及匀胶机

说明书

本发明实施例涉及半导体芯片处理技术领域，具体而言，涉及一种芯片涂胶方法、装置及匀胶机。在本发明实施例中，首先基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶，然后基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶，从而实现两次匀胶处理。其中，第一次匀胶过程中所采用的第一光刻胶的粘度大于第二次匀胶过程中所采用的第二光刻胶的粘度，这样能够确保光刻胶能够全面覆盖于目标芯片的表面，避免光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，进而避免目标芯片出现钻蚀。

技术领域

本申请涉及半导体芯片处理技术领域，具体而言，涉及一种芯片涂胶方法、装置及匀胶机。

背景技术

半导体芯片具有体积小、重量轻、功耗小、导电性佳等优点。这些优点的主要原因之一是基于半导体芯片的表面钝化技术，在PN结表面涂覆保护膜以防止PN结表面受到环境气氛和外来杂质离子的沾污。

在对半导体芯片进行表面钝化处理之后，后续工艺会涉及到芯片表面涂胶处理。常见的一些表面涂胶处理技术，在对芯片表面进行涂胶时，经常会出现涂胶覆盖不全的问题，这样会导致光刻胶在分布腐蚀过程中出现耐腐蚀性降低的问题，从而导致芯片出现钻蚀。

发明内容

基于现有设计的不足，为了对现有的芯片涂胶工艺再进行进一步改良，本发明提供一种芯片涂胶方法、装置及匀胶机。

本发明实施例的第一方面，提供一种芯片涂胶方法，应用于匀胶机，所述方法包括：

基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶；其中，在第一次匀胶过程中采用第一光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理；

基于预设的第二控制参数启动第二匀胶进程，对完成第一次匀胶处理的目标芯片进行第二次匀胶；其中，在第二次匀胶过程中采用第二光刻胶对该目标芯片进行滴胶处理，且所述第二光刻胶的粘度小于所述第一光刻胶的粘度。

可选地，所述基于预设的第一控制参数启动第一匀胶进程，对目标芯片进行第一次匀胶的步骤，包括：

基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理。

可选地，所述基于预设的第一控制参数依次按照多个设定转速进行运行，以对所述目标芯片依次进行除尘处理、预滴胶处理、滴胶处理、预匀处理、正式匀胶处理、背面清洗处理以及甩边处理的步骤，包括：

按照第一设定转速持续运行第一设定时长，对所述目标芯片进行除尘处理；

按照第二设定转速持续运行第二设定时长，对完成除尘处理的目标芯片进行预滴胶处理；

按照第三设定转速持续运行第三设定时长，并在以所述第三设定转速运行时通过第一滴胶管对完成预滴胶处理的目标芯片进行第一次滴胶处理；

按照第四设定转速持续运行第四设定时长，对完成第一次滴胶处理的目标芯片进行预匀处理；其中，位于所述目标芯片的表面的第一光刻胶在预匀处理过程中覆盖所述目标芯片的槽边缘；

按照第五设定转速持续运行第五设定时长，对完成预匀处理的目标芯片进行正式匀胶处理；

按照第六设定转速持续运行第六设定时长，对完成正式匀胶处理的目标芯片进行背面清洗处理；

按照第七设定转速持续运行第七设定时长，对完成背面清洗处理的目标芯片进行甩边处理。

可选地，所述方法还包括：

在对所述目标芯片进行预匀处理的过程中，获取目标终端拍摄到的所述目标芯片的实时图像；