[发明专利]一种微流控芯片、模板及制备方法

权利要求书

1.一种微流控芯片模板，其特征在于，包括基板，所述基板上设置有第一微结构或者第二微结构；

所述第一微结构包括至少一个细通道结构；

所述第二微结构包括至少两个粗通道结构，相邻所述粗通道结构之间通过至少一个所述细通道结构连通；

优选地，所述基板为金属基板。

2.一种制备权利要求1所述的微流控芯片模板的方法，其特征在于，包括：

在基板上涂覆第一光刻胶膜；

采用紫外曝光在所述第一光刻胶膜上曝光细通道图案；

显影后在所述第一光刻胶膜上获得所述细通道结构；

通过镍电镀在所述细通道结构内将镍金属沉积在所述基板上；

将所述基板上剩余的所述第一光刻胶膜移除，得到具有第一微结构的第一模板；

优选地，所述基板为金属板；

优选地，在所述基板上涂覆所述第一光刻胶膜之前，还包括：

将所述基板抛光，清洗烘干；

优选地，所述第一光刻胶膜为负性光刻胶；

优选地，所述负性光刻胶为SU-8光刻胶。

3.一种制备权利要求1所述的微流控芯片模板的方法，其特征在于，包括：

在基板上涂覆第二光刻胶膜；

采用紫外曝光在所述第二光刻胶膜上曝光细通道图案；

显影后在所述第二光刻胶膜上获得所述细通道结构；

通过镍电镀在所述细通道结构内将镍金属沉积在所述基板上；

将所述基板上剩余的所述第二光刻胶膜移除，得到具有对应细通道结构的基板；

在所述具有细通道结构的基板上涂覆第三光刻胶膜；

采用紫外对齐曝光在所述第三光刻胶膜上曝光粗通道图案；

显影后在所述第三光刻胶膜上获得粗通道结构，相邻所述粗通道结构之间通过至少一个细通道结构连通；

通过镍电镀在所述粗通道结构内沉积镍金属在基本上；

将所述具有细通道结构和粗通道结构的基板上剩余的所述第三光刻胶膜移除，得到具有第二微结构的第二模板；

优选地，所述基板为金属板；

优选地，在所述基板上涂覆所述第二光刻胶膜之前，还包括：

将所述基板抛光，清洗烘干；

优选地，所述第二光刻胶膜和所述第三光刻胶膜均为负性光刻胶；

优选地，所述负性光刻胶为SU-8光刻胶。

4.一种利用权利要求2中的第一模板制备微流控芯片的方法，其特征在于，包括：

将所述第一模板上的第一微结构复制到芯片基材上，复制后所述芯片基材上具有细通道；

在所述芯片基材上的细通道两侧加工粗通道或者在另一片芯片基材相应位置加工粗通道，使相邻粗通道之间通过至少一个细通道连通；

在所述芯片基材上的粗通道进出口打孔；

封接打孔后的所述芯片基材，得到微流控芯片；

优选的，所述加工为机械加工。

5.根据权利要求4所述微流控芯片的制备方法，其特征在于，将所述第一模板上的第一微结构复制到芯片基材上，具体为：

利用热压制方法或者浇铸方法将所述第一模板上的第一微结构复制到芯片基材上；

优选地，所述芯片基材的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯树脂和聚丙烯中的至少一种。

6.一种利用权利要求3中的第二模板制备微流控芯片的方法，其特征在于，包括：

将所述第二模板上的所述第二微结构复制到芯片基材上，复制后的所述芯片基材上具有至少两个粗通道，相邻所述粗通道之间通过至少一个细通道连通；

在所述芯片基材上的所述粗通道进出口打孔；

封接打孔后的所述芯片基材，得到微流控芯片。

7.根据权利要求6所述微流控芯片的制备方法，其特征在于，将所述第二模板上的第二微结构复制到芯片基材上，具体为：

利用热压制方法或者浇铸方法将所述第二模板上的第二微结构复制到芯片基材上；

优选地，所述芯片基材的材质为聚甲基丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、聚氯乙烯树脂和聚丙烯中的至少一种。