[发明专利]一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法

权利要求书

1.一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，包括：

(1)LED管芯前期制作：在砷化镓衬底上依次生长外延层、电流扩展层，并将衬底的背面进行减薄；

(2)N面金属电极制作：通过蒸镀或者溅射的方法在衬底的背面制作N面金属电极；

(3)P面金属膜层制作：使用负性光刻胶在步骤(2)制备的LED晶片正面制作出电极掩膜图形；再通过蒸镀或者溅射的方法，在电极掩膜图形表面制作整面P面金属膜层，且不进行剥离操作；

(4)管芯切割：将粘性膜贴附LED晶片背面上，从LED晶片正面进行切割，将LED晶片切割成单个管芯；

(5)P面金属电极图形制作：将粘性膜贴附在LED晶片正面，第一次将粘性膜撕掉，从而剥离掉P面金属膜层表面的切割碎屑；再将粘性膜贴附在LED晶片正面，第二次将粘性膜撕掉，从而剥离掉LED晶片正面除P面金属电极图形区域外其它金属，得到完整的P面金属电极图形；

(6)去胶清洗：使用去胶液清洗LED晶片正面残留的光刻胶，再将LED晶片放入清洗机中清洗。

2.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(5)中，第一次撕掉粘贴膜的力度小于第二次撕掉粘贴膜的力度，且第二次撕掉粘贴膜的力度小于将粘性膜从LED晶片背面撕掉的力度。

3.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(4)和步骤(5)中使用的粘性膜为蓝膜或者白膜；

进一步优选的，蓝膜的型号为SPV-224SRB；白膜的型号为SPV-224。

4.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(6)中，所述去胶液为水基型去胶液。

5.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(6)中，所述清洗机为DISCO的DCS1440清洗机。

6.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(3)中，在常温下，通过蒸镀或者溅射的方法，在电极掩膜图形表面制作整面P面金属膜层。

7.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(4)中，采用钻石刀进行切割，切割过程中刀速在2000rpm-3000rpm之间。

8.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(1)中，所述的电流扩展层的材料为ITO或者ZnO；

步骤(1)中，减薄后衬底的厚度为120-200μm。

9.根据权利要求1所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，步骤(2)中，N面金属电极的材料为Ni、Ge、Au、Pt中任一种；

步骤(3)中，P面金属膜层的材料为Cr、Ni、Ge、Ti、Pt、Au、Al中至少一种。

10.根据权利要求1-9任一项所述的一种砷化镓基LED的管芯结构的制作方法，其特征在于，N面金属电极材料的纯度和P面金属膜层材料的纯度不小于99.999％。