[发明专利]一种组合式套刻标记、使用套刻标记测量套刻误差的方法在审
| 申请号: | 202010948697.0 | 申请日: | 2020-09-10 |
| 公开(公告)号: | CN114167694A | 公开(公告)日: | 2022-03-11 |
| 发明(设计)人: | 梁时元;丁明正;贺晓彬;刘金彪;刘强 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | G03F9/00 | 分类号: | G03F9/00;G03F7/20 |
| 代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 刘广达 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 组合式 标记 使用 测量 误差 方法 | ||
1.一种组合式套刻标记,其特征在于,包括:
当层比较标记,包括第一比较标记和形成于所述第一比较标记周围的第二比较标记;
前层基准标记,包括第一基准标记和形成于所述第一基准标记周围的第二基准标记;
其中,所述第一比较标记与所述第一基准标记上下对应地设置,所述第二比较标记与所述第二基准标记上下对应地设置。
2.根据权利要求1所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述第一比较标记和所述第一基准标记均为基于衍射的套刻标记;
所述第二比较标记和所述第二基准标记均为基于图像的套刻标记。
3.根据权利要求2所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述第二比较标记,包括用于测量第一方向上的套刻误差的x轴比较标记和用于测量第二方向上的套刻误差的y轴比较标记;
所述第二基准标记,包括x轴基准标记和y轴基准标记;
其中,所述x轴比较标记与所述x轴基准标记一一对应地设置,所述y轴比较标记与所述y轴基准标记一一对应地设置;所述第一方向与所述第二方向垂直。
4.根据权利要求3所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述x轴比较标记,数量为多个,沿平面x轴方向上设置于所述第一比较标记的左侧和/或右侧;
所述y轴比较标记,数量为多个,沿平面y轴方向上设置于所述第一比较标记的上侧和/或下侧。
5.根据权利要求3所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述x轴比较标记,数量为多个,沿平面y轴方向上设置于所述第一比较标记的上侧和/或下侧;
所述y轴比较标记,数量为多个,沿平面x轴方向上设置于所述第一比较标记的左侧和/或右侧。
6.根据权利要求2所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述第一基准标记,包括基准光栅;
所述第一比较标记,包括设置于基准光栅上方的比较光栅。
7.根据权利要求6所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述基准光栅,包括相互平行的多个条状区和位于相邻条状区之间的凹陷区;
所述比较光栅,与所述基准光栅具有完全相同的结构。
8.根据权利要求1所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述第二比较标记,包括相互平行的多个等间距线条图案;
所述第二基准标记,与所述第二比较标记具有完全相同的图案。
9.根据权利要求1所述的组合式套刻标记,其特征在于,
所述第一比较标记,与所述第二比较标记在同一道工序中形成;
所述第一基准标记,与所述第二基准标记在同一道工序中形成。
10.一种使用权利要求1至9中任一权利要求所述的套刻标记测量套刻误差的方法,其特征在于,包括:
利用第一比较标记和第一基准标记测量出第一套刻误差;
利用第二比较标记和第二基准标记测量出第二套刻误差;
根据所述第一套刻误差和/或所述第二套刻误差确定误差测量结果。
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