[发明专利]一种外延生长方法有效
| 申请号： | 202010928647.6 | 申请日： | 2020-09-07 |
| 公开（公告）号： | CN112017953B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 张豪;郭海峰 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H10B41/27;H10B41/35;H10B43/27;H10B43/35 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 骆希聪 |
| 地址： | 430079 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 外延 生长 方法 | ||
1.一种外延生长方法，包括以下步骤：
提供半导体结构；
充入锗烷(GeH4)和载气的混合气体并在预设温度下烘烤所述半导体结构，所述锗烷(GeH4)在所述预设温度下分解产生锗原子和/或锗原子簇；以及
进行硅或硅基材料的外延生长。
2.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述硅基材料包括硅锗材料。
3.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述混合气体还包括氯化氢(HCl)。
4.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述预设温度为600摄氏度至800摄氏度。
5.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，充入所述混合气体时，所述锗烷(GeH4)的流量为200-350毫升/分钟。
6.根据权利要求3所述的外延生长方法，其特征在于，充入所述混合气体时，所述锗烷(GeH4)的流量为250-350毫升/分钟，所述氯化氢(HCl)的流量为大于零且小于或等于100毫升/分钟。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的外延生长方法，其特征在于，所述载气的流量为19000-20000毫升/分钟。
8.根据权利要求1所述的外延生长方法，其特征在于，所述半导体结构上形成有沟道孔，所述进行硅或硅基外延生长，包括：
在所述沟道孔内进行硅或硅基外延生长。
9.根据权利要求8所述的外延生长方法，其特征在于，
在充入锗烷(GeH4)和载气的混合气体之前，还包括：
对所述沟道孔进行清洗；
对所述半导体结构进行高温退火处理。
10.根据权利要求8所述的外延生长方法，其特征在于，所述半导体结构包括衬底和位于衬底上的堆叠层，所述沟道孔沿堆叠方向穿过所述堆叠层并延伸至所述衬底内。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010928647.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
