[发明专利]与非门树结构

说明书

本公开提供了一种与非门树结构，与非门树结构包括：多个与非门；其中，第一个与非门的第一输入端连接第一输入信号，第一个与非门的输出端作为整个与非门树结构的输出，第一个与非门的第二输入端连接第二个与非门的输出端。本公开的优点在于，本公开为了实现无环形振荡器的面积增加，因此，将输入信号分为与非门树测定用和环形振荡器用两种，两种情况下，均采用包含在输入输出端子内部的与非门电路。两种情况下的输出结果都可以得到。因此，本公开不必扩大的产品的尺寸，利于半导体器件的小型化及成本抑制。

技术领域

本公开涉及半导体制造技术领域，具体涉及一种与非门树结构及使用其的测试方法。

背景技术

在超微半导体工艺中，由于交流性能重要，往往需利用环形振荡器电路进行测量和管理，因为超微工艺与半导体元件的直流参数值和交流性能并不相等。然而，为了测试交流性能，有时需要在产品内为测量电路留出剩余空间，同时要有剩余的焊盘。因此，这样就扩大的产品的尺寸，不利于半导体器件的小型化及成本抑制。

发明内容

本公开的目的是针对上述现有技术的不足提出的一种与非门树结构，该目的是通过以下技术方案实现的。

本公开的第一方面提出了一种与非门树结构，包括：

多个与非门；其中，

第一个与非门的第一输入端连接第一输入信号，第一个与非门的输出端作为整个与非门树结构的输出，第一个与非门的第二输入端连接第二个与非门的输出端。

本公开的第二方面提出了一种与非门树结构，包括：

多个与非门；

第一个与非门的第一输入端连接第一输入信号，第一个与非门的输出端作为整个与非门树结构的输出，第一个与非门的第二输入端连接第一个延迟单元的输出端，该延迟单元的输入端连接第二个与非门的输出端。

本公开的第三方面提出了一种半导体器件组，其包括根据第一方面或第二方面所述的与非门树结构。

本公开的优点在于，本公开为了实现无环形振荡器的面积增加，因此，将输入信号分为NAND树测定用和环形振荡器用两种，两种情况下，均采用包含在输入输出端子内部的NAND电路。两种情况下的输出结果都可以得到。因此，本公开不必扩大的产品的尺寸，利于半导体器件的小型化及成本抑制。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本公开的进一步理解，构成本公开的一部分，本公开的示意性实施例及其说明用于解释本公开，并不构成对本公开的不当限定。在附图中：

图1为本公开第一种实施方式中验证输入信号端连接状态的与非门树结构示意图；

图2为在测量过程中显示输入信号带来的输出变化示意图；

图3为本公开第二种实施方式中采用标准的与非门树结构产品内部的逻辑回路示意图；

图4为本公开第二种实施方式中所采用的延迟单元结构放大示意图图；

图5为NAND树验证情况示意图。

具体实施方式

以下，将参照附图来描述本公开的实施例。但是应该理解，这些描述只是示例性的，而并非要限制本公开的范围。此外，在以下说明中，省略了对公知结构和技术的描述，以避免不必要地混淆本公开的概念。

在附图中示出了根据本公开实施例的各种结构示意图。这些图并非是按比例绘制的，其中为了清楚表达的目的，放大了某些细节，并且可能省略了某些细节。图中所示出的各种区域、层的形状以及它们之间的相对大小、位置关系仅是示例性的，实际中可能由于制造公差或技术限制而有所偏差，并且本领域技术人员根据实际所需可以另外设计具有不同形状、大小、相对位置的区域/层。