[发明专利]一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法

说明书

本发明公开了一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法，主要涉及硅片生产制造技术领域，包括硅片和贴紧在硅片扩散面的扩散源，还包括贴紧在硅片保护面的隔离膜，所述隔离膜由活性氧化铝粉料和粘合剂混合成的浆料喷涂和沉淀干燥制成的膜状物，隔离膜中的的活性氧化铝粉料吸收反型的气氛，解决了背面同时扩散相同物质的问题，可以做到扩散后背面减少或者不用吹砂或者研磨来去除。

技术领域

本发明主要涉及硅片生产制造技术领域，具体是一种解决硅片单面扩散时存在背面反渗的方法。

背景技术

扩散运动是微观粒子原子或分子热运动的统计结果。在一定温度下杂质原子具有一定的能量，能够克服某种阻力进入半导体，并在其中作缓慢的迁移运动。硅片扩散工艺是将硅片放入高温扩散炉中，通以氮气等气体，在高温下分解后在硅片表面形成P-N结。

硅片扩散过程一般需要两个面都进行必要的设计和扩散，但实际生产中需要一个工序一个工序的执行，在高温过程中因为扩散源的分解、挥发以及扩散蒸气压等问题，造成另一个面同时有同类型的源的扩散，此问题形成后需要把背面进行研磨或吹砂等方法进行去除，行业内也有利用在背面涂一层保护膜的方式来缓解或解决此种反渗问题，但都需要增加工序，使得操作成本上升很多。

发明内容

鉴于现有技术中存在的不足和缺陷，本发明的目的在于提供一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法，解决单面扩散中硅片背面因为液态或气态的反渗物质形成背面也同时扩散的问题。

为了解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：一种解决硅片单面扩散背面反渗的方法，包括硅片和贴紧在硅片扩散面的扩散源，还包括贴紧在硅片保护面的隔离膜，所述隔离膜由活性氧化铝粉料和粘合剂混合成的浆料经喷涂和沉淀干燥制成的膜状物，隔离膜中的的活性氧化铝粉料吸收反型的气氛。

作为本发明的进一步改进，所述粘合剂为丙烯酸树脂粘合剂。

作为本发明的进一步改进，所述隔离膜与硅片的尺寸完全相同或比硅片的尺寸大0.5-3毫米。

作为本发明的进一步改进，所述活性氧化铝粉料的粒径为200-2000纳米。

与现有技术相比，本发明具有的有益效果为：在本发明中，根据实际生产的需要，使用时，把隔离膜贴放于硅片需要保护的面贴紧或挤紧，升温和高温过程中，隔离膜中的的活性氧化铝粉料吸收反型的气氛，解决单面扩散如扩磷、扩硼等过程中在硅片背面因为液态或气态的反渗物质形成背面也同时扩散的问题。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步的说明：

图1本发明实施结构示意图；

图中：1扩散源、2硅片、3隔离膜。

具体实施方式

为了本发明的技术方案和有益效果更加清楚明白，下面结合具体实施例对本发明进行进一步的详细说明。

图1本发明实施结构示意图；包括硅片(2)和贴紧在硅片(2)扩散面的扩散源(1)，还包括贴紧在硅片(2)保护面的隔离膜(3)，所述隔离膜(3)与硅片的尺寸完全相同或比硅片的尺寸大0.5-3毫米。

所述隔离膜(3)由活性氧化铝粉料和粘合剂混合成的浆料经喷涂和沉淀干燥制成的膜状物，根据实际生产的需要，使用时，把隔离膜(3)贴放于硅片(2)需要保护的面贴放后压紧或挤紧即可，升温和高温过程中，隔离膜(3)中的的活性氧化铝粉料吸收反型的气氛，解决单面扩散如扩磷、扩硼等过程中在硅片背面因为液态或气态的反渗物质形成背面也同时扩散的问题。

活性氧化铝是铝的稳定氧化物，为白色球状多孔性颗粒，在高温下可电离的离子晶体，具有较强的吸附性能，不胀不裂保持原状。所述活性氧化铝粉料的粒径为200-2000纳米，所述粘合剂为丙烯酸树脂粘合剂。