[发明专利]腐蚀液回收再利用装置及方法

说明书

本发明公开了一种腐蚀液回收再利用装置及方法，应用于半导体制造领域，该装置包括：回收槽，与批处理设备的工艺槽连接，回收槽用于接收并存储从工艺槽排出的腐蚀液，并向工艺槽加入经去除SiO₂处理后的腐蚀液；除尘装置，与回收槽连接，除尘装置用于对回收槽内腐蚀液进行去除SiO₂处理；第一浓度计，用于监测回收槽内腐蚀液的Si浓度；第二浓度计，用于监测工艺槽内腐蚀液的Si浓度。通过本发明可以延长换液周期、节省腐蚀液使用量。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种腐蚀液回收再利用装置及方法。

背景技术

在去除氮化膜(SiN)的蚀刻工艺后，HSN((High Selectivity Nitride,高选择比磷酸液))腐蚀液内的Si浓度会增加而附着于Oxide膜质，改变氮化膜(SiN)和氧化膜(Oxide)的蚀刻选择比，因此，HSN腐蚀液使用一次后不能再次使用，在一般的晶圆批处理设备中，腐蚀液一次处理50张晶圆，使用4次以上后就需要进行更换。另外，换液时间中不能使用设备，导致设备停止时间增加。导致成本上升及设备停机时间增加。

发明内容

鉴于现有技术存在上述技术问题，本发明实施例提供了一种腐蚀液回收再利用装置及方法。

第一方面，本发明实施例提供一种腐蚀液回收再利用装置，包括：

回收槽，与晶圆批处理设备的工艺槽连接，所述回收槽用于接收并存储从所述工艺槽排出的腐蚀液，并向所述工艺槽加入经去除SiO₂处理后的腐蚀液；

除尘装置，与所述回收槽连接，所述除尘装置用于对所述回收槽内腐蚀液进行去除SiO₂处理；

第一浓度计，用于监测所述回收槽内腐蚀液的Si浓度；

第二浓度计，用于监测所述工艺槽内腐蚀液的Si浓度。

可选的，所述工艺槽的出液口通过排液管道连接所述回收槽的进液口，所述工艺槽的进液口通过回液管道连接所述回收槽的出液口。

可选的，所述排液管道和所述回液管道上设置有第一加热器和/或输送泵。

可选的，所述排液管道和所述回液管道共用同一中间段管道，所述第一加热器和/或输送泵设置有所述中间段管道上。

可选的，在所述排液管道上相对于所述工艺槽的近端管段设置有排液通断阀；在所述回液管道上相对于所述回收槽的近端管段设置有循环通断阀；在所述回液管道上相对于所述工艺槽的近端管段设置有回液通断阀。

可选的，所述除尘装置包括并联或串联的多个SiO₂过滤器。

可选的，所述SiO₂过滤器的内部是流量为5-50升/分钟的过滤结构，其中，所述过滤结构的材质是吸附硅的氧化膜。

可选的，所述装置还包括：在所述工艺槽内设置的容量监测器，所述容量监测器用于监测所述工艺槽线向所述回收槽排放腐蚀液的量为所述工艺槽的整体容量的10％～80％。

第二方面，本发明实施例提供一种半导体工艺设备，包括：晶圆批处理设备，以及与所述晶圆批处理设备的工艺槽连接的腐蚀液回收再利用装置，其中，所述腐蚀液回收再利用装置如第一方面的任一实施方式所述。

第三方面，本发明实施例提供一种腐蚀液回收再利用方法，第二方面所述的，半导体工艺设备进行，所述方法包括：

在监测到所述工艺槽内腐蚀液的Si浓度上升至第一浓度时，将所述工艺槽内的腐蚀液排放至所述回收槽内，并同步向所述工艺槽注入新的腐蚀液或者所述回收槽中经去除SiO₂处理后的腐蚀液；