[发明专利]腐蚀液回收再利用装置及方法在审
| 申请号: | 202010909301.1 | 申请日: | 2020-09-02 |
| 公开(公告)号: | CN114195245A | 公开(公告)日: | 2022-03-18 |
| 发明(设计)人: | 崔相龙;胡艳鹏;卢一泓;李琳 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司 |
| 主分类号: | C02F1/60 | 分类号: | C02F1/60;C02F1/28;C02F101/10 |
| 代理公司: | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人: | 房德权 |
| 地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 腐蚀 回收 再利用 装置 方法 | ||
1.一种腐蚀液回收再利用装置,其特征在于,包括:
回收槽,与晶圆批处理设备的工艺槽连接,所述回收槽用于接收并存储从所述工艺槽排出的腐蚀液,并向所述工艺槽加入经去除SiO2处理后的腐蚀液;
除尘装置,与所述回收槽连接,所述除尘装置用于对所述回收槽内腐蚀液进行去除SiO2处理;
第一浓度计,用于监测所述回收槽内腐蚀液的Si浓度;
第二浓度计,用于监测所述工艺槽内腐蚀液的Si浓度。
2.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述工艺槽的出液口通过排液管道连接所述回收槽的进液口,所述工艺槽的进液口通过回液管道连接所述回收槽的出液口。
3.如权利要求2所述的装置,其特征在于,所述排液管道和所述回液管道上设置有第一加热器和/或输送泵。
4.如权利要求3所述的装置,其特征在于,所述排液管道和所述回液管道共用同一中间段管道,所述第一加热器和/或输送泵设置有所述中间段管道上。
5.如权利要求4所述的装置,其特征在于,
在所述排液管道上相对于所述工艺槽的近端管段设置有排液通断阀;
在所述回液管道上相对于所述回收槽的近端管段设置有循环通断阀;
在所述回液管道上相对于所述工艺槽的近端管段设置有回液通断阀。
6.如权利要求1所述的装置,其特征在于,所述除尘装置包括并联或串联的多个SiO2过滤器。
7.如权利要求6所述的装置,其特征在于,所述SiO2过滤器的内部是流量为5-50升/分钟的过滤结构,其中,所述过滤结构的材质是吸附硅的氧化膜。
8.如权利要求1-7中任一所述的装置,其特征在于,所述装置还包括:
在所述工艺槽内设置的容量监测器,所述容量监测器用于监测所述工艺槽线向所述回收槽排放腐蚀液的量为所述工艺槽的整体容量的10%~80%。
9.一种半导体工艺设备,其特征在于,包括:晶圆批处理设备,以及与所述晶圆批处理设备的工艺槽连接的腐蚀液回收再利用装置,其中,所述腐蚀液回收再利用装置如权利要求1-8中任一权利要求所述。
10.一种腐蚀液回收再利用方法,基于如权利要求9所述的晶圆批处理设备进行,其特征在于,所述方法包括:
在监测到所述工艺槽内腐蚀液的Si浓度上升至第一浓度时,将所述工艺槽内的腐蚀液排放至所述回收槽内,并同步向所述工艺槽注入新的腐蚀液或者所述回收槽中经去除SiO2处理后的腐蚀液;
在所述工艺槽内进行当前批次蚀刻工艺的过程中,通过所述除尘装置对所述回收槽中的腐蚀液进行循环去除SiO2,直至所述回收槽内腐蚀液的Si浓度下降至第二浓度,其中,所述第二浓度低于所述第一浓度;
在监测到所述工艺槽内腐蚀液的Si浓度再上升至第一浓度时,向所述工艺槽注入所述回收槽中经去除SiO2处理后的腐蚀液。
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