[发明专利]一种对消式去耦芯片

说明书

本发明公开了一种对消式去耦芯片，包括左右对称分布的双T型微带结构A、B，以及前后对称分布的山型去耦结构C、D；所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽，双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内；双T型微带结构A左侧向外有两个凸起端部，双T型微带结构B右侧向外有两个凸起端。所述对消式去耦芯片采用低温共烧陶瓷技术制成。本发明通过设计对称分布的双T型微带结构，在两端加入山型去耦结构，该芯片在一定的频带内产生去耦作用，用于多天线系统之间去耦，提高多天线系统之间的隔离度，且去耦结构本身不会影响天线的辐射方向。

技术领域

本发明涉及通信技术领域，尤其涉及一种对消式去耦芯片。

背景技术

随着移动通信系统的快速发展，射频频谱资源日益短缺，如何提供更高质量、更快速的通信服务成为第五代移动通信系统(5G)中的研究热点。在此背景下，已经提出许久的多输入多输出(MIMO)通信技术成为了5G系统中的关键技术。

多输入多输出(MIMO)技术是指在发射端和接收端同时使用多个发射天线和接收天线，使信号通过发射端和接收端的多个天线发射和接收。因此，多输入多输出技术能够在不额外增加通信频带和发射功率的情况下，实现高速、大容量的数据传输，显著的提高系统数据吞吐率和信道容量。在多输入多输出(MIMO)系统中，天线起着至关重要的作用，因为天线的特征固有地包含在发射器和接收器之间的通信信道中。

MIMO技术是基于天线阵列而言的，随着对信道容量需求的不断增长，大规模MIMO技术将会成为5G系统的核心，并且紧凑密集的阵列将促进这一进程。然而，无论是5G基站，或是移动终端中，由于空间限制，随着天线数量的增加，天线单元之间的间距相对较小，造成单元之间会形成强烈的互相耦合。在特定的空间内，天线单元数量越多，单元之间的耦合更强，会导致：

（1）空间相关性的增加；

（2）辐射效率的降低；

（3）单元增益的下降；

（4）信噪比的恶化；

（5）信道容量的减小。

综上所述，在有限的空间内，在MIMO系统中如何有效的减小天线单元之间的耦合，提高单元之间的隔离度，并保证原天线的辐射性能，成为了业界研究的热点。

多天线系统，如多输入多输出（MIMO）和相控阵系统无线通信系统，以其能增加信道容量和实现波束扫描的特点引起了广泛关注。但是由于系统小型化需求日益增加，天线间距逐渐减小使得天线间产生相互耦合。天线间的相互耦合会给多天线系统性能带来许多负面的影响，如辐射方向图失真、辐射性能变差，输入阻抗和辐射阻抗变化，天线辐射效率降低等。为了保证系统的优异性能，提高天线之间的隔离度就尤为重要。

发明内容

本发明目的是：提供一种对消式去耦芯片，利用场对消的方法提高两个紧密相邻天线之间的隔离度来实现去耦目的。

本发明的技术方案是：

一种对消式去耦芯片，包括左右对称分布的双T型微带结构A、B，以及前后对称分布的山型去耦结构C、D；所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽，双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内；双T型微带结构A左侧向外有两个凸起端部A1、A2，双T型微带结构B右侧向外有两个凸起端部B1、B2。

优选的，所述对消式去耦芯片采用低温共烧陶瓷技术，或者薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术中的一种制成。

优选的，所述对消式去耦芯片带有1-6共六个管脚，其中1、2管脚对应凸起端部A1、B1，分别接天线，3、4管脚对应凸起端部B2、A2, 分别接天线馈电端，5、6管脚对应山型去耦结构C、D，均接地。