[发明专利]一种对消式去耦芯片

权利要求书

1.一种对消式去耦芯片，其特征在于，包括左右对称分布的双T型微带结构A、B，以及前后对称分布的山型去耦结构C、D；所述山型去耦结构C、D相对的一侧分别设有左、右两个开槽，双T型微带结构A、B的前、后端部分别位于山型去耦结构C、D的左、右开槽内；双T型微带结构A左侧向外有两个凸起端部A1、A2，双T型微带结构B右侧向外有两个凸起端部B1、B2；

所述对消式去耦芯片带有1-6共六个管脚，其中1、2管脚对应凸起端部A1、B1，分别接天线，3、4管脚对应凸起端部B2、A2, 分别接天线馈电端，5、6管脚对应山型去耦结构C、D，均接地。

2.根据权利要求1所述的对消式去耦芯片，其特征在于，所述对消式去耦芯片采用低温共烧陶瓷技术，或者薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术中的一种制成。

3.根据权利要求2所述的对消式去耦芯片，其特征在于，所述对消式去耦芯片连接在双天线系统之间，馈电电流分别从3、4管脚流入，然后分别从1、2管脚流出，其中在双T型微带结构A、B中产生的耦合被山型去耦结构C、D去掉，实现了双天线系统的去耦。

4.根据权利要求2所述的对消式去耦芯片，其特征在于，所述对消式去耦芯片内集成多组双T型微带结构和山型去耦结构组成的去耦单元。

5.根据权利要求4所述的对消式去耦芯片，其特征在于，所述对消式去耦芯片内集成的去耦单元设计成多层形式，连接在天线之间进行去耦。