[发明专利]具有介电的隔离层系统的堆叠状的多结太阳能电池在审
申请号: | 202010883132.9 | 申请日: | 2020-08-28 |
公开(公告)号: | CN112447861A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | T·库贝拉;B·富尔曼 | 申请(专利权)人: | 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/0224;H01L31/0687;H01L31/0725 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 郭毅 |
地址: | 德国海*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 隔离 系统 堆叠 太阳能电池 | ||
1.一种堆叠状的多结太阳能电池(10),所述堆叠状的多结太阳能电池具有介电的隔离层系统(24),其中,
所述多结太阳能电池(10)按顺序地彼此相继地具有锗衬底(14)、锗子电池(16)和至少两个III-V族子电池(18,20),所述锗衬底构造所述多结太阳能电池(10)的下侧(10.2);
所述多结太阳能电池(10)的上侧由所述III-V族子电池构造或者由III-V族盖层构造;
所述隔离层系统(24)具有如下的层序列:所述层序列由至少一个最下方的隔离层(M1)和至少一个最上方的隔离层(M2)组成,其中,所述至少一个最下方的隔离层与所述多结太阳能电池(10)的第一表面区段材料锁合地连接,所述至少一个最上方的隔离层构造所述隔离层系统(24)的上侧;
所述多结太阳能电池(10)的金属化层(12)与所述多结太阳能电池(10)的第二表面区段材料锁合地且导电地连接,并且所述多结太阳能电池的金属化层与所述隔离层系统(24)的上侧的区段材料锁合地连接,其中,所述第二表面区段与所述多结太阳能电池(10)的第一表面区段邻接;其中,
所述最上方的隔离层(M2)包括非晶硅或由非晶硅组成;
所述第一表面区段(A1)和所述第二表面区段(A2)构造在所述多结太阳能电池(10)的上侧上,或构造在所述多结太阳能电池(10)的下侧上。
2.根据权利要求1所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述最下方的隔离层(24)包括SiO2和/或Si3N4,或由SiO2和/或Si3N4组成。
3.根据权利要求1或2所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述隔离层系统(24)具有另外的至少一个中间隔离层(M3,M4),其中,所述至少一个中间隔离层(M3,M4)包括SiO2和/或Si3N4,或由SiO2和/或Si3N4组成。
4.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述多结太阳能电池(10)具有背侧接通的正侧,其中,
所述半导体晶片具有如下的至少一个敷镀通孔(22):所述至少一个敷镀通孔从所述多结太阳能电池(10)的上侧(10.1)穿过所述子电池(16,18,20)延伸至所述下侧(10.2),并且所述至少一个敷镀通孔具有连贯的侧壁(22.1)并且具有平行于表面的椭圆形截面图的外周;
所述敷镀通孔(22)的侧壁(22.1)被所述介电的隔离层系统(24)覆盖。
5.根据权利要求4所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述金属化层(12)在所述隔离层系统(24)上从所述多结太阳能电池(10)的上侧(10.1)沿着所述侧壁(22.1)穿过所述敷镀通孔(22)延伸至所述多结太阳能电池(10)的下侧(10.2)。
6.根据以上权利要求中任一项所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述金属化层包括多层系统(12)。
7.根据权利要求6所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述多层系统包括AuGe/Ti/Pd/Ag/Au层序列或Pd/Au/Ge/Ti/Pd/Ag/Au层序列。
8.根据权利要求6所述的堆叠状的多结太阳能电池(10),其特征在于,所述多层系统具有包含镍的层或包含铝的层作为最下方的层。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司,未经阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202010883132.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:碳系燃料的气化发电系统
- 下一篇:一种西达本胺药物组合物及其应用
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的