[发明专利]一种采用溶液喷涂法制得的CsPbX3 在审
| 申请号： | 202010877644.4 | 申请日： | 2020-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN112038449A | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈进;孙雨;王凤超;彭小改;张灿云;孔晋芳 | 申请（专利权）人： | 上海应用技术大学 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海科盛知识产权代理有限公司 31225 | 代理人： | 吴文滨 |
| 地址： | 201418 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 采用 溶液 喷涂 法制 cspbx base sub | ||
1.一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，所述方法具体包括以下步骤：
(a)取CsX和PbX2加入到有机溶剂中进行混合，得到CsPbX3前驱体溶液，其中，X＝Cl或Br或I；
(b)将步骤(a)得到的CsPbX3前驱体溶液喷涂在导电基底上，后退火，得到所述的CsPbX3薄膜。
2.根据权利要求1所述的一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，X＝Br。
3.根据权利要求1所述的一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，步骤(a)中，有机溶剂选自DMSO或DMF中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，步骤(a)中，CsX、PbX2和有机溶剂的添加比为1mmol:1mmol:(15～25)mL。
5.根据权利要求1所述的一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，步骤(b)中，所述导电基底为FTO或ITO玻璃。
6.根据权利要求1所述的一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，步骤(b)中，喷涂的速率为0.2～1mL/min。
7.根据权利要求1所述的一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，步骤(b)中，退火的温度为175～300℃，退火的时间为5～25min。
8.根据权利要求7所述的一种采用溶液喷涂法制备CsPbX3薄膜的方法，其特征在于，退火的温度为200～225℃，退火的时间为5～10min。
9.一种采用如权利要求1-8任一项所述的方法制备得到的CsPbX3薄膜。
10.一种如权利要求9所述的CsPbX3薄膜在太阳能电池和光电探测器件中的应用。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
