[发明专利]一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构及其制作方法

权利要求书

1.一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构，其特征在于，包括：

底硅层、位于底硅层上的埋氧层、所述埋氧层上方的体区、源区、漏区、P+体接触区以及两个第一浅沟槽隔离区；

所述体区位于所述埋氧层上方中部；

所述源区和所述漏区分别位于所述体区相对的两端，所述两个第一浅沟槽隔离区分别嵌入所述体区另一相对的两端，且所述两个第一浅沟槽隔离区的深度小于所述体区的深度；

所述P+体接触区位于所述源区外侧且位于所述埋氧层上方，与所述体区相接触。

2.如权利要求1所述的体接触结构，其特征在于，所述源区的深度和所述漏区的深度均与所述体区的深度相等；或者

所述源区的深度和所述漏区的深度均小于所述体区的深度。

3.如权利要求1所述的体接触结构，其特征在于，还包括：

位于所述体区中部上方，且位于所述源区和漏区之间的栅区。

4.如权利要求1所述的体接触结构，其特征在于，还包括：

位于所述源区和所述P+体接触区上方的金属硅化物层，用于将所述源区与所述P+体接触区电连接。

5.如权利要求1所述的体接触结构，其特征在于，还包括：

位于所述埋氧层上方，且位于所述两个第一浅沟槽隔离区外侧、所述漏区外侧和所述P+体接触区外侧的环形第二浅沟槽隔离区，所述第二浅沟槽隔离区的深度大于所述第一浅沟槽隔离区的深度，且所述第二浅沟槽隔离区109的深度到达所述埋氧层。

6.如权利要求1所述的体接触结构，其特征在于，所述源区为N型源区，所述漏区为N型漏区。

7.如权利要求3所述的体接触结构，其特征在于，所述栅区包括栅介质层和位于所述栅介质层上的栅极。

8.如权利要求1所述的体接触结构，其特征在于，所述栅极为多晶硅材料。

9.一种部分耗尽绝缘体上硅的体接触结构的制作方法，其特征在于，包括：

在SOI衬底上定义出有源区，所述SOI衬底包括由下至上的底硅层、埋氧层和顶硅层；

在所述有源区的相对两侧形成第一浅沟槽隔离区，所述第一隔离区的深度小于所述顶硅层的深度；

在所述有源区内沿着所述第一浅沟槽隔离区的长度方向形成漏区和源区以及P+体接触区，使得所述漏区和源区之间形成体区，其中，所述源区与所述P+体接触区相接触，所述P+体接触区与所述体区相接触。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，在所述有源区的相对两侧形成第一浅沟槽隔离区之后，还包括：

在所述SOI衬底上形成围绕在所述第一浅沟槽隔离区外侧、所述漏区外侧、所述P+体接触区外侧的环形第二浅沟槽隔离区，所述第二浅沟槽隔离区的深度大于所述第一浅沟槽隔离区的深度，且到达所述埋氧层。