[发明专利]一种超高压腐蚀箔的制备方法

权利要求书

1. 一种超高压腐蚀箔用预处理溶液，其特征在于，所述预处理溶液为氨基磺酸水溶液，氨基磺酸的含量为1～50 wt.%，所述氨基磺酸水溶液中添加铜离子，所述铜离子的含量为1～1000 ppm。

2.根据权利要求1所述的超高压腐蚀箔用预处理溶液，其特征在于，所述氨基磺酸的含量为5～50 wt.%。

3.根据权利要求2所述的超高压腐蚀箔用预处理溶液，其特征在于，所述氨基磺酸的含量为5～30 wt.%。

4.根据权利要求1所述的超高压腐蚀箔用预处理溶液，其特征在于，所述铜离子的含量为100～800 ppm。

5.根据权利要求4所述的超高压腐蚀箔用预处理溶液，其特征在于，所述铜离子的含量为100～500 ppm。

6. 一种超高压腐蚀箔的制备方法，包括预处理、一级发孔腐蚀、二级扩孔腐蚀、后处理，其特征在于，所述预处理在氨基磺酸水溶液中进行，氨基磺酸的含量为1～50 wt.%，所述二级扩孔腐蚀在含有5-二异丙基氨基戊基胺缓蚀剂的腐蚀液中进行。

7.根据权利要求6所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述氨基磺酸的含量为5～50 wt.%。

8.根据权利要求7所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述氨基磺酸的含量为5～30 wt.%。

9.根据权利要求6所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述氨基磺酸水溶液中添加铜离子，所述铜离子的含量为1～1000 ppm。

10.根据权利要求9所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述铜离子的含量为100～800 ppm。

11.根据权利要求10所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述铜离子的含量为100～500 ppm。

12.根据权利要求6所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述预处理的温度为40～65℃，所述预处理的时间为30～60s。

13.根据权利要求6所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述5-二异丙基氨基戊基胺的含量为0.1～1wt.%。

14.根据权利要求13所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述二级扩孔腐蚀在含有铝离子、5-二异丙基氨基戊基胺和硝酸的混合水溶液中进行；所述硝酸的含量为3～10 wt.%，所述铝离子的含量为0.5～2 wt.%。

15.根据权利要求13所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述二级扩孔腐蚀时，电流密度为0.1～0.25A/cm²，腐蚀温度为60～70℃，腐蚀时间为400~500s。

16.根据权利要求6-15任一项所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，所述一级发孔腐蚀在含有铝离子、盐酸和硫酸的混合水溶液中进行。

17.根据权利要求16所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，一级发孔腐蚀液中，所述铝离子的含量为0.5～1 wt.%，所述盐酸的含量为5～10 wt.%，所述硫酸的含量为30～50 wt.%。

18.根据权利要求16所述的超高压腐蚀箔的制备方法，其特征在于，发孔腐蚀时，电流密度为0.5～0.7A/cm²，腐蚀温度为60～80℃，腐蚀时间为50~100s。