[发明专利]高电子迁移率晶体管的制备方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

在衬底上形成AlGaN缓冲层，并在所述AlGaN缓冲层的形成过程中进行图形化处理；

在所述AlGaN缓冲层上依次生长GaN沟道层和AlGaN势垒层；

所述在衬底上形成AlGaN缓冲层，并在所述AlGaN缓冲层的形成过程中进行图形化处理，包括：

第一步，生长第一AlGaN层；

第二步，对所述第一AlGaN层进行图形化处理，在所述第一AlGaN层的表面形成多个凸起部和位于所述多个凸起部之间的凹陷部；

第三步，在所述凹陷部上生长第二AlGaN层；

其中，所述第二AlGaN层和所述第一AlGaN层组成AlGaN缓冲层，多次周期性执行所述第一步、所述第二步、所述第三步，且在多次周期性执行所述第二步形成的凸起部中，在所述高电子迁移率晶体管的纵向上相邻的两个所述凸起部之间的距离沿从所述衬底到所述GaN沟道层的方向逐渐减小，所述高电子迁移率晶体管的纵向平行于从所述衬底到所述GaN沟道层的方向。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，每个所述凸起部为圆锥形或者多棱锥形。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，多次周期性执行所述第一步、所述第二步、所述第三步的次数小于或等于5次。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述高电子迁移率晶体管的纵向上相邻的两个所述凸起部之间的距离按照10％~40％的比例减小。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，多次周期性执行所述第二步形成的凸起部中，所述凸起部的尺寸沿从所述衬底到所述GaN沟道层的方向逐渐减小。

6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述凸起部的尺寸按照15％~60％的比例减小。

7.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，多次周期性执行所述第二步形成的凸起部中，在所述高电子迁移率晶体管的横向上相邻的两个所述凸起部之间的距离沿从所述衬底到所述GaN沟道层的方向逐渐减小，所述高电子迁移率晶体管的横向垂直于从所述衬底到所述GaN沟道层的方向。