[发明专利]一种半导体激光器耦合结构在审
| 申请号： | 202010839094.7 | 申请日： | 2020-08-19 |
| 公开（公告）号： | CN111934191A | 公开（公告）日： | 2020-11-13 |
| 发明（设计）人： | 潘华东;俞浩;陈磊;王俊;廖新胜;闵大勇 | 申请（专利权）人： | 苏州长光华芯光电技术有限公司;苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/022 | 分类号： | H01S5/022;H01S5/028;H01S5/06;H01S5/068 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 张乐乐 |
| 地址： | 215163 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 耦合 结构 | ||
1.一种半导体激光器耦合结构，包括：半导体激光器本体；
其特征在于，还包括：
选择反射镜(1)，设置在可见光指示器(4)与可见光耦合镜(5)之间；所述可见光指示器(4)与所述可见光耦合镜(5)位于所述选择反射镜(1)同侧，且分别位于选择反射镜(1)的入射光路径和反射光路径上；
所述可见光指示器(4)出射的可见光依次经过所述选择反射镜(1)和所述可见光耦合镜(5)的反射后，与所述半导体激光器本体出射的红外光同轴出射；
处理器，设置在所述选择反射镜(1)背向所述可见光耦合镜(5)一侧，与半导体激光器的开关信号连接，适于接收经过选择反射镜(1)透射的回返光并判断回返光强度从而控制所述半导体激光器开启或者停止工作。
2.根据权利要求1所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述选择反射镜(1)朝向所述可见光耦合镜(5)一面层叠设置可见光反射膜和红外增透膜。
3.根据权利要求1或2所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，还包括：
匀光结构(3)，设置在所述选择反射镜(1)与所述处理器之间，且位于回返光经所述选择反射镜(1)透射的路径上。
4.根据权利要求3所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述可见光耦合镜(5)朝向可见光指示器(4)的一面为反射面，背向可见光指示器(4)的一面为增透面。
5.根据权利要求4所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述可见光耦合镜(5)朝向可见光指示器(4)的一面设置可见光反射膜，背向可见光指示器(4)的一面设置红外增透膜。
6.根据权利要求5所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述可见光耦合镜(5)为平面镜。
7.根据权利要求4所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，还包括：
偏振分光棱镜(10)，设置在双路的芯片组(6)与所述可见光耦合镜(5)之间。
8.根据权利要求2所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述可见光耦合镜(5)为偏振镜片。
9.根据权利要求2所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述可见光指示器(4)的出射光为红光；所述可见光反射膜为红光反射膜。
10.根据权利要求1所述的半导体激光器耦合结构，其特征在于，所述处理器包括光电探测器(2)和控制器。
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