[发明专利]非易失性存储器设备在审
申请号: | 202010836633.1 | 申请日: | 2020-08-19 |
公开(公告)号: | CN112420110A | 公开(公告)日: | 2021-02-26 |
发明(设计)人: | 李侊祐;金灿河;李熙元 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | G11C16/26 | 分类号: | G11C16/26;G11C16/04;G11C16/30 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 刘虹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 非易失性存储器 设备 | ||
提供了一种能够最小化与读取扰动相关联的监视开销的非易失性存储器设备。该非易失性存储器设备包括:存储器单元阵列,其包括第一单元串,该第一单元串包括串联连接的多个存储器单元,其中,多个存储器单元包括第一监视单元、第一存储器单元和第二存储器单元;以及行解码器,其当读取存储器单元当中的第一存储器单元时,向第一存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供第一监视电压,并且当读取第二存储器单元时,向第二存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供不同于第一监视电压的第二监视电压。
相关申请的交叉引用
本申请要求在2019年8月20日在韩国知识产权局提交的第10-2019-0101486号韩国专利申请的优先权,其公开在本文引用被整体合并。
技术领域
本公开涉及一种非易失性存储器设备。
背景技术
闪速存储器是即使当电源中断时也能够保持存储的数据的非易失性存储器。最近,广泛使用包括诸如嵌入多媒体卡(embedded multimedia card,eMMC)、通用闪存存储(universal flash storage,UFS)、固态驱动器(solid state drive,SSD)以及存储卡之类的闪速存储器的存储设备。存储设备用于存储或移动大量数据。
NAND闪存存储器设备的反复读取操作可以造成读取扰动,其中作为开启(on)单元的存储器单元被辨识为关闭(off)单元。在读取操作期间,当非选择读取电压Vread被施加到连接到作为开启单元的存储器单元的字线时,电子被一点点引入到开启单元的俘获层中。“Vread”可以被称为“通过电压”。由于引入的电子在俘获层中累积,开启单元可以被辨识为关闭单元。
为了监视读取扰动,在读取操作期间示出弱特性的多个字线可以全部被监视。然而,随着示出弱特性的字线的数量增加,该方法可能不可避免地增加监视开销。
发明内容
本公开的方面提供一种能够最小化与读取扰动相关联的监视开销的非易失性存储器设备。
然而,本公开的方面不局限于在本文阐述的一个方面。通过参考以下给出的本公开的具体实施方式,本公开的以上和其他方面将对本公开所属于的本领域的普通技术人员变得更明显。
在本文提供一种非易失性存储器设备,其包括:存储器单元阵列,其中,存储器单元阵列包括第一单元串,该第一单元串包括串联连接的多个存储器单元,并且其中,多个存储器单元包括第一监视单元、第一存储器单元和第二存储器单元;以及行解码器,其中,行解码器被配置为:当读取第一存储器单元时,向第一存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供第一监视电压,以及当读取第二存储器单元时,向第二存储器单元提供第一读取电压并且向第一监视单元提供不同于第一监视电压的第二监视电压。
也在本文提供另一种非易失性存储器设备,其包括:存储器单元阵列,其中,该存储器单元阵列包括多个存储器块,多个存储器块中的每个存储器块包括多个单元串,多个单元串中的每个单元串包括多个存储器单元和监视单元,多个存储器块中的第一存储器块包括第一多个单元串,第一多个单元串包括第一单元串,并且第一单元串包括被选择的存储器单元、未被选择的存储器单元和第一监视单元;以及行解码器,其被配置为:在读取操作期间,向被选择的存储器单元提供第一读取电压,向未被选择的存储器单元提供第二读取电压,并且向第一监视单元提供监视电压,其中,行解码器被进一步配置为根据以下中的至少一个来调整监视电压:被选择的存储器单元的特性、第一单元串中的与被选择的存储器单元相邻的未被选择的存储器单元的特性,以及第一存储器块的特性。
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