[发明专利]基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法

说明书

本发明提供一种基片处理装置及其制造方法和维护方法。基片处理装置具有处理容器，在设置于处理容器的壁部的第一贯通孔的内周面，和安装在壁部上的盖部件所具有的与第一贯通孔连通的第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，在第一贯通孔或者第二贯通孔安装有用于将第一贯通孔或者第二贯通孔的开口封闭的封闭部件，封闭部件由固定部固定在壁部，具有：插通体，其插通于第一贯通孔或者第二贯通孔，与内周面一起夹持导体；和凸缘，其与插通体连续地形成，具有比第一贯通孔或者第二贯通孔的开口大的平面面积。根据本发明，能够高效地对设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体的贯通孔等进行封闭部件的拆装。

技术领域

本发明涉及基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法。

背景技术

专利文献1公开了一种等离子体处理装置，其沿着容器主体和盖体的接合部配设有电磁屏蔽件部件，该电磁屏蔽件部件以大致沿着相对于与线圈轴心垂直的面倾斜的面的方式倾斜地卷绕线材或者薄带片材，由斜圈弹簧构成。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2002-164685号公报。

发明内容

发明要解决的技术问题

本发明提供一种能够高效地对贯通孔等进行封闭部件的拆装的基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法，其中所述贯通孔设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体。

用于解决问题的技术方案

本发明的一个方式的基片处理装置包括处理容器，其具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，在所述基片处理装置中，在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔，在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔安装有封闭部件，所述封闭部件将所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口封闭，且由固定部固定在所述壁部，所述封闭部件具有：插通体，其插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，与所述内周面一起夹持所述导体；和凸缘，其与所述插通体连续地形成，具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的所述开口大的平面面积。

发明效果

根据本发明，能够高效地对设置在被施加高频电功率的处理容器的壁部且能够配置环状的导体的贯通孔等进行封闭部件的拆装。

附图说明

图1是表示实施方式的基片处理装置的一例的截面图。

图2是将图1的II部放大的图，是表示电磁波泄漏防止结构的一例的图。

图3是安装在底板(壁部)上的盖部件的一例的分解立体图。

图4是表示电磁波泄漏防止结构的另一例的图。

图5是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的一例的工序图。

图6是接着图5表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。

图7是接着图6表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。

图8是接着图7表示基片处理装置的制造方法的一例的工序图。

图9是表示实施方式的基片处理装置的制造方法的另一例的工序图。

图10是验证封闭部件的拆装时所需时间的实验中所适用的从下方看处理容器的底板的平面图。

图11A是表示实验中所适用的比较例的封闭部件的平面图。