[发明专利]基片处理装置、基片处理装置的制造方法和维护方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，所述基片处理装置的特征在于：

在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置有环状的导体，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔，

在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔安装有封闭部件，所述封闭部件将所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口封闭，且由固定部固定在所述壁部，

所述封闭部件具有：

插通体，其插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，与所述内周面一起夹持所述导体；和

凸缘，其与所述插通体连续地形成，具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的所述开口大的平面面积。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述壁部中设置有多个所述第一贯通孔，所述封闭部件由一个所述固定部固定在各所述第一贯通孔，或者固定在位于与各所述第一贯通孔对应的位置的所述盖部件所具有的所述第二贯通孔。

3.如权利要求1或2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述固定部具有：

销部件，其在所述壁部中的所述开口的外周，或者在所述盖部件中的所述开口的外周，向所述外部区域伸出；

在所述凸缘中供所述销部件插通的销孔；和

对插通于所述销孔的所述销部件进行保持的夹紧件。

4.如权利要求1至3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述环状的导体形成电磁波屏蔽件。

5.如权利要求1至4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述壁部是形成所述处理容器的底板，

从所述第一贯通孔的中途位置至所述壁部的表面设置有沉孔部，

在所述第一贯通孔中插通螺钉部件，并且在所述螺钉部件的头部与所述沉孔部卡合的状态下，使所述螺钉部件的一端与位于所述处理容器内的下部电极螺合，由此将所述下部电极固定在所述底板。

6.如权利要求1至5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

在所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔设置环状的第一槽，在所述插通体的与所述第一槽对应的位置设置环状的第二槽，

所述环状的导体嵌入于所述第一槽和所述第二槽。

7.一种基片处理装置的制造方法，所述基片处理装置具有处理容器，该处理容器在内部具有与外部区域隔离了的处理区域，在所述处理区域中施加高频电功率来进行基片处理，所述基片处理装置的制造方法的特征在于，包括：

在第一贯通孔的内周面和第二贯通孔的内周面中的任一内周面配置环状的导体的步骤，其中，所述第一贯通孔是设置于所述处理容器的壁部的贯通孔，所述第二贯通孔是安装在所述壁部上的盖部件所具有的与所述第一贯通孔连通的贯通孔；和

准备具有插通体和与所述插通体连续地形成的具有比所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔的开口大的平面面积的凸缘的封闭部件，使所述插通体插通于所述第一贯通孔或者所述第二贯通孔，并与所述内周面一起夹持所述导体，用所述凸缘来封闭所述开口，并且用固定部将所述封闭部件固定在所述壁部的步骤。

8.如权利要求7所述的基片处理装置的制造方法，其特征在于：

在所述壁部中设置多个所述第一贯通孔，用一个所述固定部来将所述封闭部件固定在各所述第一贯通孔，或者固定在位于与各所述第一贯通孔对应的位置的所述盖部件所具有的所述第二贯通孔。