[发明专利]灵敏放大器、存储器和灵敏放大器的控制方法

权利要求书

1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：

放大模块；

控制模块，与所述放大模块电连接；

其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述控制模块用于将所述放大模块配置为包括二极管结构、电流镜结构和反相器，所述反相器的输入输出相连；在所述灵敏放大器的第一放大阶段，所述控制模块用于将所述放大模块配置为反相器。

2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述放大模块包括：

第一PMOS管；

第二PMOS管，所述第二PMOS管的栅极通过第一节点与所述第一PMOS管的漏极连接；

第一NMOS管，所述第一NMOS管的栅极与第一位线连接，所述第一NMOS管的漏极与所述第一节点连接；

第二NMOS管，所述第二NMOS管的栅极与第二位线连接，所述第二NMOS管的漏极通过第二节点与所述第二PMOS管的漏极连接；

其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第二NMOS管被配置为二极管结构，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管被配置为电流镜结构，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管被配置为输入输出相连的反相器。

3.根据权利要求2所述的灵敏放大器，其特征在于，所述控制模块包括：

第一开关，所述第一开关的第一端与所述第一节点连接，所述第一开关的第二端与所述第一PMOS管的栅极连接；

第二开关，所述第二开关的第一端与所述第一开关的第二端连接，所述第二开关的第二端与所述第二节点连接；

第三开关，所述第三开关的第一端与所述第一节点连接，所述第三开关的第二端与所述第一位线连接；

第四开关，所述第四开关的第一端与所述第二位线连接，所述第四开关的第二端与所述第二节点连接；

其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第一开关、第三开关、第四开关闭合，所述第二开关断开。

4.根据权利要求3所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极接收第一电压，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极接地。

5.根据权利要求4所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的第一放大阶段，所述第二PMOS管和所述第二NMOS管被控制为处于截止区，所述第一PMOS管和所述第一NMOS管被配置为反相器。

6.根据权利要求5所述的灵敏放大器，其特征在于，所述控制模块还包括：

第五开关，所述第五开关的第一端与所述第二节点连接，所述第五开关的第二端与所述第一位线连接；

第六开关，所述第六开关的第一端与所述第二位线连接，所述第六开关的第二端与所述第一节点连接；

其中，在所述灵敏放大器的失调补偿阶段，所述第五开关和所述第六开关断开；在所述灵敏放大器的第一放大阶段，所述第一开关、所述第三开关和所述第四开关断开，所述第二开关、所述第五开关和所述第六开关闭合。

7.根据权利要求6所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的第一放大阶段，所述第一PMOS管的源极接收所述第一电压，所述第一NMOS管的源极接地，所述第二PMOS管的源极和所述第二NMOS管的源极接收第二电压；

其中，所述第二电压小于所述第一电压。

8.根据权利要求7所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的第一放大阶段之后的第二放大阶段，所述控制模块用于将所述放大模块配置为交叉耦合放大结构。

9.根据权利要求8所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的第二放大阶段，所述第一开关、所述第三开关和所述第四开关断开，所述第二开关、所述第五开关和所述第六开关闭合。

10.根据权利要求9所述的灵敏放大器，其特征在于，在所述灵敏放大器的第二放大阶段，所述第一PMOS管和所述第二PMOS管的源极接收所述第一电压，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管的源极接地。