[发明专利]一种导电薄膜材料及其制备方法

权利要求书

1.一种导电薄膜材料，其特征在于，它由如下质量份数的组份组成：

1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH₂ 5~6份；

咪唑掺杂的UiO-66-NH₂ 4~5份；

高分子基材 23~90份；

所述1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH₂通过如下方法制备：将相同质量的1,3丙磺酸内酯和UiO-66-NH₂加入到二氯甲烷中，25-30℃下搅拌24-36h，过滤得到1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH₂固体。

2.根据权利要求1所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述咪唑掺杂的UiO-66-NH₂通过如下方法制备：将装有UiO-66-NH2的容器，敞开放入装有咪唑的另一容器中，密封后在120-150℃下反应96-120h，得到咪唑掺杂的UiO-66-NH₂固体；其中，UiO-66-NH2和咪唑的质量比为1:5~20。

3.根据权利要求1所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材为壳聚糖、聚乙烯吡咯烷酮、聚对苯二甲酸乙二醇酯中的任意一种，和聚偏氟乙烯组成的混合物。

4.根据权利要求3所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材包括质量百分数为60-80%的聚偏氟乙烯和质量百分数为20-40%的壳聚糖。

5.根据权利要求4所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材包括质量百分数为60-80%的聚偏氟乙烯和质量百分数为20-40%的聚乙烯吡咯烷酮。

6.根据权利要求4所述的导电薄膜材料，其特征在于，所述高分子基材包括质量百分数为60-80%的聚偏氟乙烯和质量百分数为20-40%的聚对苯二甲酸乙二醇酯。

7.权利要求1所述导电薄膜材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）将1,3丙磺酸内酯改性UiO-66-NH₂和咪唑掺杂的UiO-66-NH₂混合，得到导电粉末；

（2）将步骤（1）所得导电粉末与高分子基材一起加入到溶剂中，搅拌均匀，再进行研磨，得到膜液；

（3）将步骤（1）所得膜液倒在洁净的基板上，放入烘箱，在60~80℃下烘干即得。

8.根据权利要求7所述的导电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤（2）中，所述溶剂为二甲基甲酰胺。

9.根据权利要求7所述的导电薄膜材料的制备方法，其特征在于，步骤（3）中，所述基板为玻璃板或不锈钢板。