[发明专利]一种基于微机电系统的晶圆测试微细探针的制作方法

说明书

本发明公开了一种基于微机电系统的晶圆测试微细探针的制作方法，包括以下步骤：在种子层上旋涂光刻胶；限定探针的形状为掩膜，将掩膜覆盖于种子层的旋涂光刻胶的一侧表面上；将光刻胶曝光显影；在暴露的部分种子层上电镀形成第一金属层、第二金属层；在第二金属层上旋涂一层光刻胶并曝光显影；对暴露的第二金属层及其底部的第一金属层进行腐蚀；在第二金属层依次电镀形成第三金属层、第四金属层、第五金属层；在第五金属层上电镀一层第六金属层；移除光刻胶，切割并腐蚀第六金属层，并将第一金属层至第五金属层从种子层上剥离，形成探针。本发明利用本发明的制作方法制作的探针其精度较高，可满足微小间距的芯片测试的要求。

技术领域

本发明涉及晶圆测试领域，更具体的说，是一种基于微机电系统的晶圆测试微细探针的制作方法。

背景技术

近年来，中国半导体迎来了一个飞速发展的时代，芯片产业更是蓬勃发展。但是在晶圆测试领域，当芯片的布局是矩阵的时候，传统的悬臂针就不能再使用了，为了能够测试相关的芯片就必须要使用垂直针卡。Cobra是一种使用机械冲压的方式制造的垂直针卡探针，由于工艺和设备的限制，其精度只能保证在+/-10um以上。这远远不能满足小间距大针数的要求。

发明内容

本发明的目的在于提供一种基于微机电系统的晶圆测试微细探针的制作方法，利用本发明的制作方法制作的探针其精度较高，可满足微小间距的芯片测试的要求。

其技术方案如下：

一种基于微机电系统的晶圆测试微细探针的制作方法，包括以下步骤：

在晶圆表面溅射一层种子层；

在种子层的一侧表面旋涂光刻胶；

限定探针的形状为掩膜，将掩膜覆盖于种子层的旋涂光刻胶的一侧表面上；

将光刻胶曝光显影后，暴露出部分所述种子层；

在暴露的部分种子层上电镀形成第一金属层；

在第一金属层上电镀形成第二金属层；

在第二金属层上旋涂一层光刻胶，并将光刻胶曝光显影后，暴露出部分所述第二金属层；

对暴露的第二金属层及其底部的第一金属层进行腐蚀，形成探针尾部的形状；

在第二金属层上电镀形成第三金属层；

在第三金属层上电镀形成第四金属层；

在第四金属层上电镀形成第五金属层；

在第五金属层上电镀一层第六金属层；

移除光刻胶，切割并腐蚀第六金属层，并将第一金属层、第二金属层、第三金属层、第四金属层、第五金属层从种子层上剥离，形成探针。

进一步地，所述第一金属层的材料为钯合金。

进一步地，所述第四金属层的材料为钯合金。

进一步地，所述第一金属层、第四金层层的厚度为12um+/-5um。

进一步地，所述第二金属层、第三金属层、第五金属层的材料为铜。

进一步地，所述第二金属层、第三金属层、第五金层的厚度为1um。

进一步地，所述第六金属层的材料为金。

下面对本发明的优点或原理进行说明：

1、本发明的基于微机电系统的晶圆测试微细探针采用多层电镀的方法进行制作，采用本发明的方法制作的探针其精度较高，其精度可达到+/-1um,可满足微小间距的芯片测试的要求。